集成NV SRAM、实时时钟、晶体、电源故障控制电路和锂能源
时钟寄存器以相同方式访问静态RAM。这些寄存器位于八个顶级RAM位置。
世纪字节寄存器(即,符合Y2K)
完全不易挥发,在断电情况下运行超过10年
BCD编码的世纪、年、月、日、日、小时、分钟和秒,具有自动闰年补偿,有效期至2100年
蓄电池电压电平指示标志
电源故障写入保护允许±10%VCC电源容差
在首次通电之前,断开锂能源以保持新鲜度
仅DIP模块标准JEDEC字节宽32k x 8静态RAM引脚
仅限PowerCap模块板的表面可安装封装,用于直接连接到包含电池和晶体可更换电池(PowerCap)的PowerCap上电复位输出引脚,引脚与DS174xP计时RAM的其他密度兼容
也可用于工业温度范围:-40°C至+85°C
UL认证
说明
DS1744-70IND是一款全功能、2000年兼容(Y2KC)、实时时钟/日历(RTC)和32k x 8 NV SRAM。用户对DS1744-70IND中所有寄存器的访问是通过一个字节宽的接口完成的,如图1所示。RTC信息和控制位位于最上面的八个RAM位置。RTC寄存器包含24小时BCD格式的世纪、年、月、日、小时、分钟和秒数据。自动对每个月和闰年的日期进行更正。RTC时钟寄存器是双重缓冲的,以避免在时钟更新周期中访问错误数据。双缓冲系统还可以防止时间损失,因为通过访问时间寄存器数据,计时倒计时持续不减。DS1744-70IND还包含自己的电源故障电路,当VCC电源处于超差状态时,该电路会取消选择设备。由于避免了错误的访问和更新周期,该功能可防止因低VCC导致的不可预测的系统操作而导致的数据丢失。
特色
- 集成NV SRAM、实时时钟、晶体、电源故障控制电路和锂能源
- 时钟寄存器以相同方式访问静态RAM。这些寄存器位于八个顶级RAM位置。
- 世纪字节寄存器(即,符合Y2K)
- 完全不易挥发,在断电情况下运行超过10年
- BCD编码的世纪、年、月、日、日、小时、分钟和秒,具有自动闰年补偿,有效期至2100年
- 蓄电池电压电平指示标志
- 电源故障写入保护允许±10%V科科斯群岛电源容差
- 在首次通电之前,断开锂能源以保持新鲜度
- 仅DIP模块
- 标准JEDEC字节宽32k x 8静态RAM引脚输出
- 仅限PowerCap模块板
- 用于直接连接到包含电池和晶体的PowerCap的表面可安装封装
- 可更换电池(PowerCap)
- 通电复位输出
- 针对针兼容DS174xP计时RAM的其他密度
- 也可用于工业温度范围:-40°C至+85°C
(图片:引出线)