ADS58B18/B19是超低功耗ADS4xxx模数转换器（ADC）系列的成员，具有集成模拟缓冲器和SNRBoost技术。ADS58B18IRGZT和ADS58B19是11位和9位ADC，采样率分别达到200MSPS和250MSPS。创新的设计技术用于实现高动态性能，同时消耗极低的功率。模拟输入引脚具有在宽频率范围内具有恒定性能和输入阻抗的缓冲器。这种架构使这些部件非常适合多载波、宽带通信应用，如PA线性化。
ADS58B18IRGZT使用TI专有的SNRBoost技术，该技术可用于克服带宽小于Nyquist（fS/2).
这两种设备都具有增益选项，可用于在较低满量程输入范围（尤其是在非常高的输入频率）下提高SFDR性能。它们还包括可用于消除ADC偏移的直流偏移校正回路。在较低的采样率下，ADC以按比例缩小的功率自动运行，而不会损失性能。
这些设备支持双数据速率（DDR）低压差分信号（LVDS）和并行CMOS数字输出接口。DDR LVDS接口的低数据速率（最大500Mbps）使得使用基于低成本现场可编程门阵列（FPGA）的接收机成为可能。它们具有低摆幅LVDS模式，可用于进一步降低功耗。LVDS输出缓冲器的强度也可以增加，以支持50Ω差分终端。
ADS58B18/B19均采用紧凑型QFN-48封装，并在工业温度范围（-40°C至+85°C）内指定。
特色
- ADS58B18:11位，200MSPS
- ADS58B19:9位，250MSPS
- 集成高阻抗模拟输入缓冲器
- 超低功率：
- 模拟功率：200MSPS时为258mW
- I/O功率：69mW（DDR LVDS，低LVDS摆动）
- 高动态性能：
- ADS58B18:150MHz时66dBFS SNR和81dBc SFDR
- ADS58B19:150MHz时55.7dBFS SNR和76dBc SFDR
- 使用TI专有SNRBoost技术增强SNR（仅限ADS58B18）
- –77.7dBFS SNR，20MHz带宽
- 随采样率的动态功率缩放
- 输出接口：
- 具有可编程摆动和强度的双数据速率（DDR）LVDS
- 标准摆动：350mV
- 低摆幅：200mV
- 默认强度：100Ω终端
- 2x强度：50Ω终端
- 还支持1.8V并行CMOS接口
- 具有可编程摆动和强度的双数据速率（DDR）LVDS
- SNR/SFDR权衡的可编程增益
- 直流偏移校正
- 支持低输入时钟幅度
- 包装：QFN-48（7mm×7mm）
