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DS1265Y-70IND+是集成电路NVSRAM 8MBIT 70NS 36EDIP,包括DS1265Y系列,它们设计用于管式封装,安装方式如数据表注释所示,用于通孔,提供封装外壳功能,如36-DIP模块(0.600“,15.24mm),其工作温度范围为-40°C~85°C(TA),以及并行接口,该设备也可用作4.5 V~5.5 V电源。此外,供应商设备包为36-EDIP,该设备提供8M(1M x 8)内存大小,该设备具有NVSRAM(非易失性SRAM)存储器类型,速度为70ns,访问时间为70ns;格式存储器为RAM,最大工作温度范围为+85 C,最小工作温度范围-40 C,工作电源电流为85 mA,接口类型为并行,组织为1 M x 8,部件号别名为90-1265Y+07I DS1265Y,数据总线宽度为8位,并且电源电压Max为5.5V,并且电源电压Min为4.5V。
DS1265Y-70+是集成电路NVSRAM 8MBIT 70NS 36EDIP,包括4.5 V~5.5 V电源,它们设计为在4.5 V电源电压最小值下工作,电源电压最大值如数据表注释所示,用于5.5 V,提供供应商设备包功能,如36-EDIP,速度设计为在70 ns内工作,以及DS1265Y系列,该设备也可以用作90-1265Y+070 DS1265Y部件号别名。此外,包装是管,该器件采用36-DIP模块(0.600“,15.24mm)封装盒,该器件具有1M x 8的组织结构,工作温度范围为0°C ~ 70°C(TA),工作电源电流为85 mA,安装方式为通孔,最小工作温度范围0 C,存储器类型为NVSRAM(非易失性SRAM),存储器大小为8M(1M x),其最大工作温度范围为+70 C,接口类型为并行,接口为并行,格式存储器为RAM,数据总线宽度为8位,访问时间为70 ns。
DS1267-010+是集成电路DGTL POT 10K 2CH 14DIP,包括电位计配置,它们设计用于级联引脚功能,接口如数据表注释所示,用于串行,提供易失性等存储器类型功能,电路数量设计为2个,以及256个抽头,其工作温度范围为-40°C~85°C。此外,包装盒为14-DIP(0.300英寸,7.62毫米),该设备采用管式包装,该设备具有10k电阻欧姆,电阻擦拭器欧姆Typ为400,供应商设备包装为14-PDIP,锥度为线性,温度系数Typ为750 ppm/°C,公差为±20%,电压供应为5V。
DS1265Y-70IND是集成电路NVSRAM 8MBIT 70NS 36EDIP,包括管封装,它们设计为与RAM格式存储器一起工作。数据表说明中显示了用于并行的接口,该接口提供存储器类型功能,如NVSRAM(非易失性SRAM)。存储器大小设计为8M(1M x 8),以及70NS速度,其工作温度范围为-40°C~85°C(TA)。此外,电压供应为4.5 V~5.5 V,该设备在36-EDIP供应商设备包中提供,该设备具有36-DIP模块(0.600“,15.24mm)的包装箱。