AD667SE是一个完整的电压输出12位数模转换器，包括一个高稳定性的嵌入式齐纳电压基准和一个单芯片上的双缓冲输入锁存器。该转换器使用12个精密高速双极电流控制开关和激光微调薄膜电阻网络，以提供快速稳定时间和高精度。
微处理器兼容性通过片上双缓冲锁存器实现。输入锁存器的设计允许与4位、8位、12位或16位总线直接接口。然后，来自第一级锁存器的12位数据可以被传送到第二级，避免产生伪模拟输出值。该锁存器对短至100ns的选通脉冲作出响应，允许与最快的可用微处理器一起使用。
AD667SE的功能完整性和高性能得益于先进的开关设计、高速双极制造工艺和经验证的激光晶片修整（LWT）技术。AD667SE在晶片级进行修整，在+25°C和整个工作温度范围内规定为±1/4 LSB最大线性误差（K，B级）和±1/2 LSB。
芯片上的地下（埋置）齐纳二极管提供了低噪声电压基准，其具有与最佳分立基准二极管相当的长期稳定性和温度漂移特性。提供优良线性的激光微调工艺也用于微调参考值的绝对值及其温度系数。因此，AD667SE非常适合宽温度范围的性能，最大线性误差为±1/2 LSB，并保证在整个温度范围内的单调性。典型的满刻度增益TC为5 ppm/°C。
AD667SE有五种性能等级。AD667J和K规定在0°C至+70°C温度范围内使用，可采用28针模塑塑料DIP（N）或PLCC（P）封装。AD667S等级适用于-55°C至+125°C范围，可在陶瓷DIP（D）或LCC（E）封装中使用。AD667A和B规定在-25°C至+85°C温度范围内使用，可采用28针密封陶瓷DIP（D）封装。
特色
- 完整的12位D/A功能双缓冲锁存片上输出放大器高稳定性掩埋齐纳基准
- 单片结构
- 保证过温单调性
- 线性保证过温：最大1/2 LSB
- 沉降时间：最大3µs至0.01%
- 保证在±12 V或±15 V电源下运行
- 低功率：300 mW，包括参考
- TTL/5V CMOS兼容逻辑输入
- 低逻辑输入电流
- MIL-STD-883兼容版本可用
