微处理器兼容性通过片上双缓冲锁存器实现。输入锁存器的设计允许与4位、8位、12位或16位总线直接接口。然后，来自第一列锁存器的12位数据可以被传送到第二列，从而避免产生伪模拟输出值。该锁存器对短至100ns的选通脉冲作出响应，允许与最快的可用微处理器一起使用。
AD567SD/883B的功能完整性和高性能得益于先进的开关设计、高速双极制造工艺和经验证的激光晶片修整（LWT）技术。AD567SD/883B在晶片级进行修整，在25°C时规定为±1/4 LSB最大线性误差（K级），在全工作温度范围内规定为±1/2 LSB。
芯片上的地下（埋置）齐纳二极管提供了低噪声电压基准，其具有与最佳分立基准二极管相当的长期稳定性和温度漂移特性。提供优良线性的激光修整工艺也用于修整参考的绝对值及其温度系数。因此，AD567SD/883B非常适合宽温度范围的性能，最大线性误差为±1/2 LSB，并保证在整个温度范围内的单调性。典型的满量程增益T.C.为10 ppm/°C。
AD567SD/883B有三种性能等级。AD567J和K指定在0至70°C温度范围内使用，可提供28针密封陶瓷DIP或28针模制塑料DIP（N封装）。AD567S适用于-55°C至+125°C的温度范围，可提供陶瓷封装。
数据表，A版，1/83
特色
- 单片结构
- 用于8位µP兼容性的双缓冲锁存器
- 快速稳定时间：最大500 ns至±1/2 LSB
- 芯片上高稳定性埋置齐纳基准
- 单体性保证过温
- 温度范围内保证线性：½LSB最大值（AD567K）
- 保证在±12 V或±15 V电源下运行
- 有关更多信息，请参阅数据表
