MachXO2系列的无限可重构可编程逻辑器件（PLD）为低密度PLD的设计者提供了在单个器件中前所未有的低成本、低功耗和高系统集成的组合。与上一代MachXO PLD系列相比，MachXO2系列将优化查找表（LUT）架构与65nm嵌入式闪存工艺技术相结合，逻辑密度提高了3倍，嵌入式内存增加了10倍，静态功耗降低了100倍以上，成本降低了30%。此外，MachXO2系列还包括系统应用（电信基础设施、计算、高端工业、高端医疗）和消费应用（智能手机、GPS设备、移动计算、数码相机）中使用的一些最流行功能的强化实现。这些包括用户闪存（UFM）、I2C、SPI和定时器/计数器。因此，通过提供这些特性和功能，MachXO2系列为设计人员提供了适用于低密度应用的“Do it All PLD”。
特征灵活的逻辑架构超低功耗设备
先进的65纳米低功率工艺As low 19�W待机功率可编程低摆幅差分I/O待机模式和其他节能选项六个设备，具有6864 LUT4和335个I/O
八个主时钟对于高速I/O接口，每个边缘最多两个边缘时钟每个设备最多两个模拟PLL，具有分数n频率合成� 宽输入频率范围（10 MHz至400 MHz）
立即打开� 在微秒内通电单芯片、安全解决方案可通过JTAG、SPI或I2C进行编程支持非易失性存储器的后台编程可选双引导，带外部SPI存储器
至240 Kbits sysMEMTM嵌入式块RAM至54 Kbits分布式RAM专用FIFO控制逻辑可通过WISHBONE、SPI、I2C和JTAG接口访问的用户闪存100000次写入周期，可用作软处理器PROM或闪存
系统运行时现场逻辑更新片上强化功能：SPI、I2C、定时器/计数器片上振荡器，精度5%用于系统跟踪一次性可编程（OTP）模式唯一TraceID单电源，扩展工作范围IEEE标准1149.1边界扫描IEEE 1532兼容系统编程
I/O单元中的DDR寄存器专用传动逻辑7:1显示I/O的传动通用DDR、DDRX2、DDRX4专用DDR/DDR2/LPDDR内存，支持DQS
TQFP、WLCSP、ucBGA、csBGA、caBGA、ftBGA、fpBGA封装选项小封装选项� 小到2.5x2.5mm密度迁移支持高级无卤封装
可编程sysIOTM缓冲区支持多种接口：� LVCMOS 3.3/2.5/1.8/1.5/1.2� LVTTL公司� 个人计算机接口� LVDS、总线LVDS、MLVDS、RSDS、LVPECL� 不锈钢25/18� HSTL 18� 施密特触发器输入，至0.5V滞后I/O支持热插拔片上差分终端可编程上拉或下拉模式
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设备LUTs分布式RAM（Kbits）EBR SRAM（Kbits
VCC电压和设备低功率，无稳压器（ZE）� 1.2V选项高性能调节器（HC）2.5V，3.3V PLL加固功能数量：I2C SPI定时器/计数器封装25球WLCSP（2.5x2.5 mm，0.4 mm）36球WLCSP（3.1x3.1 mm，0.4）64球ucBGA（4x4 mm，0.4毫米）100针TQFP（14x14 mm，0.5毫米）132球csBGA（8x8 mm，0.5 mm）144针TQFP（20x20 mm，0.5）256球caBGA（14x14mm，0.8毫米）256球ftBGA（17x17 mm，1.0毫米）332球caBGB（17x17mm，0.8 mm）484球fpBGA（23x23毫米，1.0毫米）
注意：通用封装允许在同一封装内进行密度迁移。1.联系您的莱迪思销售代表以获得WLCSP包的支持。
无调节器的低功率（ZE）� 1.2V高性能带调节器（HC）2.5V，3.3V高性能无调节器（HE）� 1.2V I/O
MachXO2系列超低功耗、即插即用、非易失性PLD有六个器件，密度从6864个查找表（LUT）不等。除了基于LUT的低成本可编程逻辑之外，这些设备还具有嵌入式块RAM（EBR）、分布式RAM、用户闪存（UFM）、锁相环（PLL）、预工程源同步I/O支持、高级配置支持（包括双引导功能）和常用功能的硬化版本，如SPI控制器、I2C控制器和定时器/计数器。这些特征允许这些设备用于低成本、高容量的消费者和系统应用。MachXO2器件设计为65nm非易失性低功耗工艺。该设备架构具有几个特点，例如可编程低摆幅差分I/O和动态关闭I/O组、片上PLL和振荡器的能力。这些功能有助于管理静态和动态功耗，从而为家庭的所有成员提供低微瓦静态功率。MachXO2设备有两种版本� 超低功率（ZE）和高性能（HC和HE）器件。超低功率设备有三种速度等级-1、-2和-3，-3是最快的。同样，高性能设备有三种速度等级：-4、-5和-6，-6是最快的。HC设备具有内部线性电压调节器，支持外部VCC电源电压ZE 1-2
