ispGAL22V10A采用莱迪思半导体先进的E2 CMOS工艺制造，该工艺将CMOS与电可擦除（E2）浮栅技术相结合。ispGAL22V10A系列采用先进的E2低功耗单元和全CMOS逻辑方法，提供快速的引脚到引脚速度，同时提供低待机功率，而无需任何“涡轮比特”或其他传统电源管理方案。ispGAL22V10A可与3.3V、2.5V和1.8V信号电平接口。
ispGAL22V10A在功能上与ispGAL22LV10、GAL22LV0和GAL22V10兼容。
特色
■ 高性能
•tPD=2.3ns传播延迟
•fMAX=455 MHz最大工作频率
•tCO=从时钟输入到数据输出的最大2ns
•tSU=1.3 ns时钟设置时间
■ 低功耗
•1.8V核心E2 CMOS®技术
•典型待机功率<300µW（ispGAL22V10AC）
•CMOS设计技术提供低静态和动态功耗
■ 节省空间的包装
•提供32针QFNS（四芯扁平封装，无引线，锯切）封装，5mm x 5mm机身尺寸1
■ 易于系统集成
•在3.3V（ispGAL22V10AV）、2.5V下运行
（ispGAL22V10AB）或1.8V（ispGAL22 V10AC）电源
•使用3.3V、2.5V或1.8V LVCMOS I/O操作
•LVCMOS 3.3接口的5V耐受I/O
•热套接
•开放式排水能力
•输入上拉、下拉或总线保持器
•无铅包装选项
•可编程输出转换速率
•3.3V PCI兼容
■ 系统内可编程
•IEEE 1149.1边界扫描可测试
•3.3V/2.5V/1.8V系统可编程
（ISP™) 使用符合IEEE 1532的接口
■ E2细胞技术
•系统内可编程逻辑
•100%测试/100%产量
•高速电擦除（<50ms）
•tPD=2.3ns传播延迟
•fMAX=455 MHz最大工作频率
•tCO=从时钟输入到数据输出的最大2ns
•tSU=1.3 ns时钟设置时间
■ 低功耗
•1.8V核心E2 CMOS®技术
•典型待机功率<300µW（ispGAL22V10AC）
•CMOS设计技术提供低静态和动态功耗
■ 节省空间的包装
•提供32针QFNS（四芯扁平封装，无引线，锯切）封装，5mm x 5mm机身尺寸1
■ 易于系统集成
•在3.3V（ispGAL22V10AV）、2.5V下运行
（ispGAL22V10AB）或1.8V（ispGAL22 V10AC）电源
•使用3.3V、2.5V或1.8V LVCMOS I/O操作
•LVCMOS 3.3接口的5V耐受I/O
•热套接
•开放式排水能力
•输入上拉、下拉或总线保持器
•无铅包装选项
•可编程输出转换速率
•3.3V PCI兼容
■ 系统内可编程
•IEEE 1149.1边界扫描可测试
•3.3V/2.5V/1.8V系统可编程
（ISP™) 使用符合IEEE 1532的接口
■ E2细胞技术
•系统内可编程逻辑
•100%测试/100%产量
•高速电擦除（<50ms）
应用
•DMA控制
•状态机控制
•高速图形处理
•软件驱动的硬件配置
•状态机控制
•高速图形处理
•软件驱动的硬件配置
