TMS320C64x DSP(包括TMS320C6411AZLZ器件)是TMS320C6000 DSP平台中性能最高的定点DSP产品。TMS320C6411AZLZ(C6411)器件基于德州仪器(TI)开发的第二代高性能、先进的VelociTI超长指令字(VLIW)架构(VelocTI.2),使这些DSP成为多通道和多功能应用的最佳选择。C64x是C6000 DSP平台的代码兼容成员。
C6411设备在300 MHz的时钟速率下,每秒高达24亿条指令(MIPS),为高性能DSP编程难题提供了经济高效的解决方案。C6411 DSP具有高速控制器的操作灵活性和阵列处理器的数值能力。C64x DSP核心处理器具有64个32位字长的通用寄存器和八个高度独立的功能单元,两个乘法器用于32位结果,六个算术逻辑单元(ALU)-带有VelociTI.2扩展。八个功能单元中的VelociTI.2扩展包括新指令,用于加速关键应用程序的性能,并扩展VelociTI架构的并行性。C6411每周期可产生四个16位乘法累加(MAC),总计每秒6亿个MAC(MMACS),或每周期产生八个8位MAC,总计2400个MMACS。C6411 DSP还具有与其他C6000 DSP平台设备类似的专用硬件逻辑、片上存储器和其他片上外设。
C6411使用基于两级缓存的体系结构,并具有一组功能强大且多样化的外围设备。一级程序缓存(L1P)是128 Kbit直接映射缓存,一级数据缓存(L1D)是128 KB双向集合关联缓存。2级存储器/缓存(L2)由程序和数据空间共享的2Mbit存储器空间组成。二级存储器可以配置为映射存储器或高速缓存(高达256K字节)和映射存储器的组合。外围设备包括两个多通道缓冲串行端口(McBSP);三个32位通用定时器;用户可配置的16位或32位主机端口接口(HPI16/HPI32);外围组件互连(PCI);具有16个GPIO引脚的通用输入/输出端口(GPIO);以及一个无胶外部存储器接口(32位EMIF),它能够与同步和异步存储器及外围设备连接。
C6411有一套完整的开发工具,其中包括:一个新的C编译器、一个简化编程和调度的汇编优化器,以及一个用于查看源代码执行的Windows调试器界面。
特色
- 低成本、高性能定点DSP–TMS320C6411
- 3.33-ns指令周期时间
- 300 MHz时钟速率
- 八个32位指令/周期
- 二十八次操作/循环
- 2400英里
- 与TMS320C62x完全软件兼容
- VelociTI.2对VelociTI高级超长指令字(VLIW)TMS320C64x DSP内核的扩展
- 八个具有VelociTI扩展的高度独立功能单元:
- 六个ALU(32-/40位),每个时钟周期支持单32位、双16位或四个8位算法
- 两个乘法器支持每个时钟周期四个16 x 16位乘法(32位结果)或每个时钟周期八个8 x 8位乘法(16位结果)
- 不对齐的加载存储体系结构
- 64 32位通用寄存器
- 指令打包减少代码大小
- 所有有条件的指令
- 八个具有VelociTI扩展的高度独立功能单元:
- 指令集功能
- 可寻址字节(8-/16-/32-/64位数据)
- 8位溢出保护
- 位字段提取,设置,清除
- 标准化、饱和、位计数
- VelociTI.2增加正交性
- L1/L2存储器体系结构
- 128K位(16K字节)L1P程序缓存(直接映射)
- 128K位(16K字节)L1D数据缓存(双向集合关联)
- 2M位(256K字节)二级统一映射RAM/缓存(灵活的RAM/缓存分配)
- 32位外部存储器接口(EMIF)
- 异步存储器(SRAM和EPROM)和同步存储器(SDRAM、SBSRAM、ZBT SRAM和FIFO)的无胶接口
- 512M字节的总可寻址外部内存空间
- 增强型直接存储器存取(EDMA)控制器(64个独立信道)
- 主机端口接口(HPI)
- 用户可配置总线宽度(32-/16位)
- 访问整个内存映射
- 32位/33 MHz、3.3V外围组件互连(PCI)主/从接口符合PCI规范2.2
- 访问整个内存映射
- 三个PCI总线地址寄存器:
可预取内存
不可预取内存I/O - 四线串行EEPROM接口
- DSP程序控制下的PCI中断请求
- 通过PCI I/O周期的DSP中断
- 两个多通道缓冲串行端口(McBSP)
- T1/E1、MVIP、SCSA框架的直接接口
- ST总线交换兼容
- 每个通道最多256个
- AC97兼容
- 串行外围接口(SPI)兼容(摩托罗拉)
- 三个32位通用定时器
- 16个通用I/O(GPIO)引脚
- 可编程中断/事件生成模式
- 灵活的PLL时钟发生器
- IEEE-1149.1(JTAG)边界扫描兼容
- 532引脚球栅阵列(BGA)封装(GLZ、ZLZ和CLZ后缀),0.8-mm球间距
- 0.13-μm/6级铜金属工艺
- CMOS技术
- 3.3-V I/O,1.2-V内部