ICE40HX1K-VQ100

 灵活的逻辑架构

 五个具有384至7680 LUT4和10至206 I/O的设备

 超低功耗设备

 先进的40纳米低功率工艺

 低至21µA待机电源

 可编程低摆幅差分I/O

 嵌入式和分布式内存

 最大128 kb sysMEM™ 嵌入式块RAM

 预设计源同步I/O

 I/O单元中的DDR寄存器

 大电流LED驱动器

 用于三个不同LED或一个RGB LED的三个大电流驱动器

 高性能、灵活的I/O缓冲区

 可编程系统I/O™ 缓冲区支持多种接口：

 LVCMOS 3.3/2.5/1.8

 LVDS25E，子LVDS

 施密特触发器输入，典型滞后为200mV

 可编程上拉模式

 灵活的片上时钟

 八个低偏斜全局信号资源

 每个设备最多两个模拟PLL

 灵活的设备配置

 SRAM通过以下方式配置：

 标准SPI接口

 内部非易失性配置存储器（NVCM）

 多种套餐选项

 WLCSP、QFN、VQFP、TQFP、ucBGA、caBGA和csBGA封装选项

 占地面积小的包装选项

 小至1.40 mm x 1.48 mm

 先进的无卤包装