特色
灵活的逻辑架构
两个具有2800至5280 LUT的设备
以WLCS和QFN包提供
超低功耗设备
先进的40纳米低功率工艺
典型待机电流低至100µA
嵌入式内存
高达1024 kb单端口SRAM
最大120 kb sysMEM™ 嵌入式块RAM
两个加固的I2C接口
支持I3C接口的两个I/O引脚
两个硬化SPI接口
两个片上振荡器
低频振荡器–10 kHz
高频振荡器–48 MHz
24 mA电流驱动RGB LED输出
每个设备有三个驱动输出
用户可选择的吸收电流高达24 mA
片上DSP
有符号和无符号8位或16位函数
功能包括乘法器、累加器和乘法累加器(MAC)
灵活的片上时钟
八个低偏斜全局信号源,六个可直接从外部引脚驱动
每个设备一个带动态接口的PLL
灵活的设备配置
SRAM通过以下方式配置:
标准SPI接口
内部非易失性配置存储器(NVCM)
超小尺寸
小到2.15 mm×2.55 mm
应用
始终在线语音识别应用程序
智能手机
平板电脑和消费者手持设备
手持式商业和工业设备
多传感器管理应用
传感器预处理和传感器融合
常开传感器应用
USB 3.1 C型电缆检测/供电应用