特色
提高逻辑密度,提高系统集成度
12K至84K LUT
197至365用户可编程I/O
嵌入式SERDES
270 Mb/s,最高3.2 Gb/s,SERDES接口(ECP5)
270 Mb/s,最高5.0 Gb/s,SERDES接口(ECP5-5G)
支持RDR(1.62 Gb/s)和HDR(2.7 Gb/s)中的eDP
每个设备最多四个通道:PCI Express、以太网(1GbE、SGMII、XAUI)和CPRI
系统DSP™
完全可级联的切片结构
12至160片,用于高性能乘法和累加
强大的54位ALU操作
时分复用MAC共享
舍入和截断
每个切片支持
一半36 x 36,两个18 x 18或四个9 x 9乘法器
高级18 x 36 MAC和18 x 18乘法累加(MMAC)操作
灵活的内存资源
最高3.744 Mb sysMEM™ 嵌入式块RAM(EBR)
194K至669K位分布式RAM
sysCLOCK模拟PLL和DLL
LFE5-45和LFE5-85中的四个DLL和四个PLL;LFE5-25和LFE5-12中的两个DLL和两个PLL
预设计源同步I/O
I/O单元中的DDR寄存器
专用读/写调平功能
专用传动逻辑
源同步标准支持
ADC/DAC,7:1级,XGMII
高速ADC/DAC器件
专用DDR2/DDR3和LPDDR2/LPDDR3内存支持,具有DQS逻辑,数据速率高达800 Mb/s
可编程系统I/O™ 缓冲区支持多种接口
芯片上终端
LVTTL和LVCMOS 33/25/18/15/12
不锈钢18/15 I,II
HSUL12
LVDS、总线LVDS、LVPECL、RSDS、MLVDS
subLVDS和SLVS、SoftIP MIPI D-PHY接收机/发射机接口
灵活的设备配置
配置I/O的共享库
SPI引导闪存接口
支持双引导映像
从属SPI
现场升级™ 用于简单字段更新的I/O
单事件故障(SEU)缓解支持
软错误检测–嵌入式硬宏
软错误纠正–不停止用户操作
软错误注入–模拟SEU事件以调试系统错误处理
系统级支持
符合IEEE 1149.1和IEEE 1532
显示逻辑分析器
用于初始化和通用的片上振荡器
ECP5的1.1 V核心电源,ECP5UM5G的1.2 V核心电源
12K至84K LUT
197至365用户可编程I/O
嵌入式SERDES
270 Mb/s,最高3.2 Gb/s,SERDES接口(ECP5)
270 Mb/s,最高5.0 Gb/s,SERDES接口(ECP5-5G)
支持RDR(1.62 Gb/s)和HDR(2.7 Gb/s)中的eDP
每个设备最多四个通道:PCI Express、以太网(1GbE、SGMII、XAUI)和CPRI
系统DSP™
完全可级联的切片结构
12至160片,用于高性能乘法和累加
强大的54位ALU操作
时分复用MAC共享
舍入和截断
每个切片支持
一半36 x 36,两个18 x 18或四个9 x 9乘法器
高级18 x 36 MAC和18 x 18乘法累加(MMAC)操作
灵活的内存资源
最高3.744 Mb sysMEM™ 嵌入式块RAM(EBR)
194K至669K位分布式RAM
sysCLOCK模拟PLL和DLL
LFE5-45和LFE5-85中的四个DLL和四个PLL;LFE5-25和LFE5-12中的两个DLL和两个PLL
预设计源同步I/O
I/O单元中的DDR寄存器
专用读/写调平功能
专用传动逻辑
源同步标准支持
ADC/DAC,7:1级,XGMII
高速ADC/DAC器件
专用DDR2/DDR3和LPDDR2/LPDDR3内存支持,具有DQS逻辑,数据速率高达800 Mb/s
可编程系统I/O™ 缓冲区支持多种接口
芯片上终端
LVTTL和LVCMOS 33/25/18/15/12
不锈钢18/15 I,II
HSUL12
LVDS、总线LVDS、LVPECL、RSDS、MLVDS
subLVDS和SLVS、SoftIP MIPI D-PHY接收机/发射机接口
灵活的设备配置
配置I/O的共享库
SPI引导闪存接口
支持双引导映像
从属SPI
现场升级™ 用于简单字段更新的I/O
单事件故障(SEU)缓解支持
软错误检测–嵌入式硬宏
软错误纠正–不停止用户操作
软错误注入–模拟SEU事件以调试系统错误处理
系统级支持
符合IEEE 1149.1和IEEE 1532
显示逻辑分析器
用于初始化和通用的片上振荡器
ECP5的1.1 V核心电源,ECP5UM5G的1.2 V核心电源