特色
柔性闪存™ 建筑学
•即时开启
•无限可重构
•单片
•FlashBAK™ 技术
•串行标签存储器
•设计安全
实时更新技术
•TransFR™ 技术
•使用128位AES加密保护更新
•带外部SPI的双引导
系统DSP™ 块
•三到八个块，用于高性能乘法和累加
•12至32个18x18乘法器
•每个模块支持一个36x36乘法器或四个18x18或八个9x9乘法器
嵌入式和分布式内存
•最高885 Kbits sysMEM™ 电子束反射
•高达83 Kbits的分布式RAM
系统时钟™ 公共图书馆
•每个设备最多四个模拟PLL
•时钟倍增、分频和移相
灵活的I/O缓冲区
•系统IO™ 缓冲器支架：
–LVCMOS 33/25/18/15/12；LVTTL公司
–SSTL 33/25/18 I、II级
–HSTL15 I级；HSTL18 I、II级
–PCI
–LVDS、总线LVDS、MLVDS、LVPECL、RSDS
预设计的源同步接口
•DDR/DDR2接口，最高200 MHz
•7:1 LVDS接口支持显示应用
•XGMII
密度和包装选项
•5k至40k LUT4，86至540 I/O
•csBGA、TQFP、PQFP、ftBGA和fpBGA封装
•支持密度迁移
灵活的设备配置
•SPI（主和从）启动闪存接口
•支持双引导映像
•嵌入式软错误检测（SED）宏
系统级支持
•符合IEEE 1149.1和IEEE 1532
•用于初始化和通用的片上振荡器
•设备使用1.2V电源运行
