iCE40系列超低功耗非易失性FPGA有五个器件,其密度范围从384到7680查找表(LUT)。除了基于LUT的低成本可编程逻辑之外,这些设备还具有嵌入式块RAM(EBR)、非易失性配置存储器(NVCM)和锁相环(PLL)。这些功能使该设备可以用于低成本、高容量的消费和系统应用。部分封装提供高电流驱动器,非常适合驱动三个白色LED或一个RGB LED。iCE40器件是在40nm CMOS低功耗工艺上制造的。该设备架构具有几个特性,例如可编程低摆幅差分I/O和动态关闭片上PLL的能力。这些功能有助于管理静态和动态功耗,从而降低家庭所有成员的静态功耗。iCE40设备有两种版本:超低功耗(LP)和高性能(HX)设备。
iCE40 FPGA有多种先进的无卤封装,从节省空间的1.40x1.48 mm WLCSP到PCB友好型20x20 mm TQFP。表1-1显示了LUT密度、封装和I/O选项以及其他关键参数。iCE40设备提供增强的I/O功能,如上拉电阻器。上拉功能在
“每针”基础。iCE40设备还可通过片上NVCM提供灵活、可靠和安全的配置。这些设备还可以通过外部SPI闪存配置自身,或由外部主机(如CPU)配置。
莱迪思提供了多种设计工具,允许使用iCE40系列设备高效地实现复杂的设计。流行的逻辑合成工具为iCE40提供合成库支持。莱迪思设计工具使用合成工具输出以及用户指定的首选项和约束,在iCE40设备中放置和布线设计。这些工具从路由中提取定时,并将其反注释到设计中以进行定时验证。
特色
灵活的逻辑架构
•五个具有384至7680 LUT4和10至206 I/O的设备
超低功耗设备
•先进的40纳米低功耗工艺
•低至21µA待机电源
•可编程低摆幅差分I/O
嵌入式和分布式内存
•最高128 kbits sysMEM™ 嵌入式块RAM
预设计源同步I/O
•I/O单元中的DDR寄存器
大电流LED驱动器
•三个高电流驱动器,用于三个不同的LED或一个RGB LED
高性能、灵活的I/O缓冲区
•可编程系统IO™ 缓冲区支持多种接口:
-LVCMOS 3.3/2.5/1.8
-LVDS25E,子LVDS
-施密特触发器输入,典型滞后为200mV
•可编程上拉模式
灵活的片上时钟
•八个低偏斜全局时钟资源
•每个设备最多两个模拟PLL
灵活的设备配置
•SRAM通过以下方式配置:
-标准SPI接口
-内部非易失性配置存储器(NVCM)
多种套餐选项
•WLCSP、QFN、VQFP、TQFP、ucBGA、caBGA和csBGA封装选项
•占地面积小的包装选项
-小至1.40 mm x 1.48 mm
•先进的无卤包装