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LCMXO1200C-4FTN256C

  • 描述:电源电压: 1.71V ~ 3.465V I/O数量: 211 供应商设备包装: 256-FTBGA(17x17) 工作温度: 0摄氏度~85摄氏度(TJ) 安装类别: 表面安装
  • 品牌: 莱迪思 (Lattice)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 217.64914 217.64914
25+ 189.40183 4735.04587
100+ 182.66593 18266.59380
  • 库存: 0
  • 单价: ¥148.84160
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥217.65
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规格参数

  • 制造厂商 莱迪思 (Lattice)
  • 部件状态 可供货
  • 闸门数量 -
  • 安装类别 表面安装
  • 工作温度 0摄氏度~85摄氏度(TJ)
  • 电源电压 1.71V ~ 3.465V
  • 包装/外壳 256-LBGA
  • 供应商设备包装 256-FTBGA(17x17)
  • LAB/CLB数量 150
  • 逻辑元件/单元的数量 1200
  • RAM 总位数 9421
  • I/O数量 211
  • 特点 -
  • 色彩/颜色 -

LCMXO1200C-4FTN256C 产品详情

MachXO经过优化,以满足传统上由CPLDs和低容量FPGA解决的应用程序的要求:胶合逻辑、总线桥接、总线接口、加电控制和控制逻辑。这些器件将CPLD和FPGA器件的最佳特性集中在一个芯片上。

特色

 非易失性,无限可重构

•即时开启

–以微秒为单位通电

•单芯片,无需外部配置存储器

•卓越的设计安全性,无需拦截比特流

•以毫秒为单位重新配置基于SRAM的逻辑

•SRAM和非易失性存储器可通过JTAG端口编程

•支持非易失性存储器的后台编程

 睡眠模式

•可减少多达100倍的静态电流

 现场升级™ 重新配置(TFR)

•系统运行时现场逻辑更新

 高I/O到逻辑密度

•256至2280 LUT4

•73到271个I/O,具有广泛的软件包选项

•支持密度迁移

•符合RoHS标准的无铅包装

 嵌入式和分布式内存

•最高27.6 Kbits sysMEM™ 嵌入式块RAM

•高达7.7 Kbits的分布式RAM

•专用FIFO控制逻辑

 灵活的I/O缓冲区

•可编程系统IO™ 缓冲区支持多种接口:

-LVCMOS 3.3/2.5/1.8/1.5/1.2

-LVTTL公司

-个人计算机接口

-LVDS、总线LVDS、LVPECL、RSDS

 系统时钟™ 公共图书馆

•每个设备最多两个模拟PLL

•时钟乘法、除法和相移

 系统级支持

•IEEE标准1149.1边界扫描

•机载振荡器

•设备使用3.3 V、2.5 V、1.8 V或1.2 V电源运行

•系统编程符合IEEE 1532


LCMXO1200C-4FTN256C所属分类:现场可编程门阵列(FPGA),LCMXO1200C-4FTN256C 由 莱迪思 (Lattice) 设计生产,可通过久芯网进行购买。LCMXO1200C-4FTN256C价格参考¥148.841595,你可以下载 LCMXO1200C-4FTN256C中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询LCMXO1200C-4FTN256C规格参数、现货库存、封装信息等信息!

莱迪思 (Lattice)

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莱迪思半导体是低功耗可编程的领导者。在不断增长的通信、计算、工业、汽车和消费市场中,他们通过网络解决客户问题,从边缘到云。他们的技术、长期关系以及对世界一流支持的承诺,让他们的客户能够快速、轻松地释放他...

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