Microchip基于ARM®的SAM4S2B微控制器基于高性能32位Cortex®-M4内核。
SAM4S2B具有以下特点：
- 最大工作速度120MHz
- 128KB闪存和64KB SRAM
- 1.62V至3.6V电源
- 在动态模式下功耗为180uA/MHz，在RAM保持模式下功耗低于25uA，在RTC运行的情况下，在1.8V时功耗为1uA
- 用于连接、系统控制和模拟接口的广泛外围设备
- 原生支持Microchip QTouch电容式触摸技术，用于实现按钮、滑块和滚轮
- 引脚对引脚兼容Microchip SAM7S、SAM3N、SAM4N和SAM3S MCU
- 引脚对引脚兼容Microchip SAM7S、SAM3N和SAM3S MCU
- 并行输入/输出（IO）数据捕获模式
特色
- ARM Cortex-M4运行频率高达120 MHz
- 内存保护单元（MPU）
- DSP指令，Thumb®-2指令集
- 128 KB嵌入式闪存、ECC、安全位和锁定位
- 64 KB嵌入式SRAM
- 16 KB ROM，带嵌入式引导加载程序例程（UART、USB）和IAP例程
- 用于单电源操作的嵌入式电压调节器
- 通电复位（POR）、褐光检测器（BOD）和双看门狗用于安全操作
- 石英或陶瓷谐振器振荡器：3至20 MHz，具有时钟故障检测，32.768 kHz用于RTT或系统时钟
- 具有公历和波斯历模式的RTC，备份模式下的波形生成
- RTC计数器校准电路可补偿32.768 kHz晶体频率误差
- 高精度8/12MHz工厂微调内部RC振荡器，具有4MHz默认频率，用于设备启动，用于频率调整的应用程序微调访问
- 慢时钟内部RC振荡器作为永久低功耗模式设备时钟
- 两个PLL，最高240 MHz，用于设备时钟和USB
- 温度传感器
- 两个输入上的低功耗篡改检测，通过立即清除通用备份寄存器（GPBR）来防止篡改
- 22个外围DMA控制器
- 睡眠、等待和备份模式；在备份模式下，功耗降至1μA
- 64引线LQFP，10 x 10 mm，间距0.5 mm
- 64引线QFN，9 x 9 mm，间距0.5 mm
- 64引线WLCSP，4.42 x 4.72 mm，间距0.4 mm
- A版-工业（-40℃至+85℃），B版-（-40℃到+105℃）
- USB 2.0设备：12 Mbps，2668字节FIFO，最多8个双向端点，片上收发器
- 最多两个USART，具有ISO7816、IrDA®、RS-485、SPI、曼彻斯特和调制解调器模式
- 两个2线UART
- 最多两个2线接口模块（兼容I2C）、一个SPI、一个串行同步控制器（I2S）、一种高速多媒体卡接口（SDIO/SD卡/MMC）
- 两个3通道16位定时器计数器，具有捕获、波形、比较和PWM模式、正交解码器逻辑和用于步进电机的2位灰度递增/递减计数器
- 4通道16位PWM，带互补输出、故障输入、用于电机控制的12位停滞时间发生器计数器
- 32位实时定时器和RTC，具有日历、报警和32 kHz微调功能
- 256位通用备份寄存器（GPBR）
- 用于片外/片上存储器数据完整性检查的32位循环冗余校验计算单元（CRCU）
- 47条具有外部中断能力（边缘或电平灵敏度）、去抖动、毛刺滤波和管芯串联电阻器端接的I/O线
- 三个32位并行输入/输出控制器，外设DMA辅助并行捕获模式
- 16通道1Msps ADC，带差分输入模式和可编程增益级以及自动校准
- 一个2通道12位1Msps DAC
- 一个具有灵活输入选择、可选输入滞后的模拟比较器
- 串行线/JTAG调试端口（SWJ-DP）
- 调试对系统中所有存储器和寄存器的访问，包括内核运行、停止或保持复位时的Cortex-M4寄存器组。
- 串行线调试端口（SW-DP）和串行线JTAG调试端口（SW J-DP）调试访问。
- Flash修补程序和断点（FPB）单元，用于实现断点和代码修补程序。
- 数据监视点和跟踪（DWT）单元，用于实现监视点、数据跟踪和系统分析。
- 用于支持printf样式调试的Instrumentation Trace Macrocell（ITM）。
- 所有数字引脚上的IEEE1149.1 JTAG边界扫描。
- ASF Atmel软件框架–SAM软件开发框架
- 集成在具有图形用户界面的Atmel Studio IDE中，或作为独立的GCC、IAR编译器提供。
- DMA支持，中断处理程序驱动程序支持
- USB、TCP/IP、Wi-Fi和蓝牙、众多USB类、DHCP和Wi-Fi加密堆栈
- RTOS集成，FreeRTOS是核心组件
