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HCPL-T251#300是OPTOISO 3.75KV GATE DRVR 8DIP GW，包括管交替包装包装，它们设计用于8-SMD鸥翼包装盒，数据表说明中显示了用于光耦合器的技术，其工作温度范围为-20°C~85°C，安装类型设计用于表面安装，以及开放集电极输出类型，该设备也可以用作1个信道数。此外，电压供应为15 V ~ 30 V，该设备采用8-DIP鸥翼供应商设备包提供，该设备具有-，100mA电流输出高-低，电流峰值输出为400mA，电流DC正向（如果最大值为20mA），电压隔离为3750Vrms，认证为CSA、UR，电压正向Vf Typ为1.6V，共模瞬态抗扰度最小值为10kV/μs，传播延迟tpLH tpHL最大值为1μs、1μs，Pd功耗为250mW，最大工作温度范围为+85℃，最小工作温度范围-20℃，Vf正向电压为1.8V，隔离电压为3750 Vrms，Vr反向电压为5V，如果正向电流为12mA，传播延迟最大值为250ns，最大连续输出电流为0.4A。
HCPL-T251#500是OPTOISO 3.75KV GATE DRVR 8DIP GW，包括5 V Vr反向电压，设计用于15 V~30 V电压源，数据表注释中显示了3750 Vrms中使用的电压隔离，提供电压正向Vf Typ特性，如1.6V，Vf正向电压设计用于1.8 V，以及光耦合技术，该设备也可以用作8-DIP鸥翼供应商设备包。此外，传播延迟tpLH tpHL最大值为1μs，1μs。该设备以1 us传播延迟最大值提供，该设备具有250 mW的Pd功耗，包装为磁带和卷轴（TR）交替包装，包装盒为8-SMD，鸥翼，输出类型为开放式集电极，其工作温度范围为-20°C~85°C，通道数为1，安装类型为表面安装，其最小工作温度范围为-20 C，最大工作温度范围+85 C，隔离电压为3750 Vrms，如果正向电流为12 mA，电流峰值输出为400 mA，电流输出高-低为-，100mA，如果最大值为20mA，则电流直流正向，共模瞬态抗扰度最小值为10kV/μs，认证为CSA、UR。
HCPL-T251是OPTOISO 3.75KV GATE DRIVER 8DIP，包括CSA、UR认证，它们设计用于10kV/μs共模瞬态抗扰度最小值、电流DC正向（如果数据表注释中显示最大值），用于20mA，提供电流输出高-低特性，如-、100mA，电流峰值输出设计用于400mA，以及12 mA（如果正向电流），该设备也可以用作3750 Vrms隔离电压，其最大工作温度范围为+85℃，最小工作温度范围-20℃，该设备具有安装型通孔，通道数为1，其工作温度范围在-20℃~85℃，输出类型为开路集电极，包装箱为8-DIP（0.300“，7.62mm），封装为管，Pd功耗为250mW，传播延迟最大值为1us，传播延迟tpLH tpHL最大值为1μs、1μs，供应商器件封装为8-DIP，技术为光耦合，Vf正向电压为1.8V，电压正向Vf Typ为1.6V，电压隔离为3750Vrms，电压供应为15V~30V，Vr反向电压为5V。
HCPL-T250V，HEWLETTPACKARD制造的EDA/CAD模型。HCPL-T250V采用DIP-8封装，是IC芯片的一部分。
