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MC9S08GT16AMFCE是IC MCU 8BIT 16KB FLASH 32QFN，包括S08系列，它们设计用于与MCU产品一起使用，包装如数据表说明所示，用于托盘，提供单位重量功能，如0.002198盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及32-VFQFN暴露焊盘封装盒，其工作温度范围为-40°C~125°C（TA）。此外，供应商设备包为32-QFN外露焊盘（5x5），设备提供24个I/O，设备速度为40MHz，核心处理器为S08，RAM大小为2K x 8，程序存储器类型为FLASH，外围设备为LVD、POR、PWM、WDT，连接为I2C、SCI、SPI，电源Vcc Vdd为1.8 V~3.6 V，核心大小为8位，程序存储器大小为16KB（16K x 8），数据转换器为A/D 4x10b，振荡器类型为内部，最大工作温度范围为+125 C，最小工作温度范围-40 C，工作电源电压为1.8 V至3.6 V，接口类型为I2C IRSCI SPI，内核为HCS08，处理器系列为MC9S08GT16A，数据总线宽度为8位，电源电压最大值为3.6V，电源电压最小值为1.8V，最大时钟频率为40MHz，ADC通道数为4，I/O数为24I/O，数据RAM大小为2kB，ADC分辨率为10位。
MC9S08GT16AMFBE是集成电路MCU 8BIT 16KB FLASH 44QFP，包括1.8 V~3.6 V电压供应Vcc Vdd，它们设计为在0.017588盎司单位重量下工作，数据表说明中显示了在1.8 V中使用的最小供应电压，提供3.6 V等最大供应电压功能，供应商设备包设计为在44-QFP（10x10）中工作，以及40MHz速度，该设备也可以用作S08系列。此外，RAM大小为2K x 8，该设备采用FLASH程序存储器类型，该设备具有16KB（16K x 8）的程序存储器大小，产品为MCU，处理器系列为MC9S08GT16A，外围设备为LVD、POR、PWM、WDT，封装为托盘，封装盒为44-QFP，振荡器类型为内部，其工作温度范围为-40°C~125°C（TA），工作电源电压为1.8 V至3.6 V，I/O数量为36 I/O，I/O数量36，ADC通道数量8，安装类型为SMD/SMT，最小工作温度范围为-40 C，最大工作温度范围+125 C，最大时钟频率为40 MHz，接口类型为I2C IRSCI SPI，数据RAM大小为2kB，数据转换器为A/D 8x10b，数据总线宽度为8位，核心大小为8位；核心处理器为S08，核心为HCS08，连接为I2C、SCI、SPI，ADC分辨率为10位。
MC9S08GT16AMFDE是集成电路MCU 8BIT 16KB FLASH 48QFN，包括10位ADC分辨率，它们设计用于I2C、SCI、SPI连接。数据表说明中显示了用于S08的核心处理器功能，例如，核心大小设计用于8位，以及8位数据总线宽度，该设备还可以用作a/D 8x10b数据转换器。此外，数据RAM大小为2kB，该设备采用I2C IRSCI SPI接口类型，该设备的最大时钟频率为20MHz，最大工作温度范围为+125 C，最小工作温度范围-40 C，安装类型为SMD/SMT，ADC通道数为8，I/O数为39，I/O数量为39，工作电源电压为1.8 V至3.6 V，其工作温度范围为-40°C至125°C（TA），振荡器类型为内部，封装外壳为48-VFQFN裸露焊盘，封装为托盘，外围设备为LVD、POR、PWM、WDT，处理器系列为MC9S08，程序内存大小为16KB（16K x 8），程序内存类型为FLASH，RAM大小为2K x 8，和系列为S08，速度为40MHz，供应商设备封装为48-QFN-EP（7x7），电源电压最大值为3.6V，电源电压最小值为1.8V，单位重量为0.003961oz，电源Vcc-Vdd为1.8V~3.6V。
