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MC9S08QE4CWJ是IC MCU 8BIT 4KB FLASH 20SOIC,包括S08系列,它们设计用于与MCU产品一起工作,包装如数据表注释所示,用于管中,提供单位重量功能,如0.018325盎司,安装样式设计用于SMD/SMT,以及20-SOIC(0.295英寸,7.50mm宽)封装外壳,其工作温度范围为-40°C~85°C(TA)此外,供应商设备包为20-SOIC W,设备提供16个I/O,设备速度为20MHz,核心处理器为S08,RAM大小为256 x 8,程序存储器类型为FLASH,外围设备为LVD、PWM、WDT,连接为I2C、LIN、SCI、SPI,电压供应Vcc Vdd为1.8 V~3.6 V,核心大小为8位,程序存储器大小为4KB(4K x 8),数据转换器为A/D 8x12b,振荡器类型为内部,最大工作温度范围为+85 C,最小工作温度范围-40 C,工作电源电压为1.8 V至3.6 V,接口类型为I2C SCI SPI,核心为S08,处理器系列为MC9S08,数据总线宽度为8位,电源电压Max为3.6V,电源电压Min为1.8V,最大时钟频率为20MHz,ADC通道数为10,I/O数为26I/O,数据RAM大小为256B,定时器计数器数为2 Timer,ADC分辨率为12位。
MC9S08QE4CTG是一款集成电路MCU 8BIT 4KB FLASH 16TSSOP,包括1.8 V~3.6 V电源Vcc Vdd,它们设计为在0.002194盎司单位重量下工作,数据表中显示了1.8 V的最小电源电压,提供3.6 V等最大电源电压功能,该设备也可以用作S08系列。此外,RAM大小为256 x 8,该设备采用FLASH程序存储器类型,该设备具有4KB(4K x 8)的程序存储器大小,产品为MCU,处理器系列为MC9S08,外围设备为LVD、PWM、WDT,封装为管交替封装,封装外壳为16-TSSOP(0.173英寸,4.40mm宽),振荡器类型为内部,工作温度范围为-40°C~85°C(TA),工作电源电压为1.8 V至3.6 V,定时器计数器的数量为2个定时器,I/O的数量为26个I/O,I/O数量为12个,安装类型为SMD/SMT,最小工作温度范围为-40 C,最大工作温度范围+85 C,最大时钟频率为20 MHz,接口类型为I2C SCI SPI,数据RAM大小为256 B,数据转换器为A/D 8x12b,数据总线宽度为8位,核心大小为8位;核心处理器为S08,核心为S08;连接为I2C、LIN、SCI、SPI。
MC9S08QE4CTGR是IC MCU 8BIT 4KB FLASH 16TSSOP,包括I2C、LIN、SCI、SPI连接,它们设计用于S08核心处理器,核心尺寸如数据表说明所示,用于8位,提供a/D 8x12b等数据转换器功能,I/O数量设计为12个,工作温度范围为-40°C~85°C(TA),该器件也可以用作内部振荡器类型。此外包装箱为16-TSSOP(0.173英寸,4.40mm宽),设备采用磁带和卷轴(TR)交替包装,设备具有LVD、PWM、WDT外围设备,程序内存大小为4KB(4K x 8),程序存储器类型为FLASH,RAM大小为256 x 8,系列为S08,速度为20MHz,供应商设备包为16-TSSOP,电压供应Vcc Vdd为1.8V~3.6V。