9icnet为您提供NXP USA Inc.设计生产的MC9S08QA4CDNE，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂、代理商等渠道购买。MC9S08QA4CDNE参考价格为4.08000美元。NXP USA Inc.MC9S08QA4CDNE封装/规格：IC MCU 8BIT 4KB FLASH 8SOIC。您可以下载MC9S08QA4CDNE英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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MC9S08QA2CDNE是IC MCU 8BIT 2KB FLASH 8SOIC，包括S08系列，它们设计用于与MCU产品一起工作，包装如数据表注释所示，用于管中，提供单位重量功能，如0.002616盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及8-SOIC（0.154英寸，3.90mm宽）封装外壳，其工作温度范围为-40°C~85°C（TA）此外，供应商设备包为8-SOIC，设备提供4个I/O，设备速度为20MHz，核心处理器为S08，RAM大小为160 x 8，程序存储器类型为FLASH，外围设备为LVD、POR、PWM、WDT，电源Vcc Vdd为1.8 V ~ 3.6 V，核心大小为8位，程序存储器大小为2KB（2K x 8），数据转换器为A/D 4x10b，振荡器类型为内部，最大工作温度范围为+85 C，最小工作温度范围-40 C，工作电源电压为1.8 V至3.6 V，接口类型为SCI，核心为HCS08，处理器系列为MC9S08QA2，数据总线宽度为8位，电源电压最大值为3.6 V，电源电压Min为1.8V，最大时钟频率为20MHz，ADC通道数为4，I/O数为5 I/O，数据RAM大小为160B，定时器计数器数为1定时器，ADC分辨率为10位。
MC9S08QA2CPAE是一款集成电路MCU 8BIT 2KB FLASH 8PDIP，包括1.8 V~3.6 V电源Vcc Vdd，它们设计为在0.014889盎司单位重量下工作，数据表说明中显示了1.8 V的最小电源电压，提供了3.6 V等最大电源电压功能，供应商设备包设计为在8-PDIP以及20MHz速度下工作，该设备也可以用作S08系列。此外，RAM大小为160 x 8，设备采用FLASH程序存储器类型，设备具有2KB（2K x 8）的程序存储器大小，处理器系列为MC9S08，外围设备为LVD、POR、PWM、WDT，封装为Tube，封装外壳为8-DIP（0.300“，7.62mm），振荡器类型为内部，工作温度范围为-40°C~85°C（TA），工作电源电压为1.8 V至3.6 V，定时器计数器的数量为1个定时器，I/O的数量为5个I/O，I/O的数目为4，ADC通道的数量为4，安装方式为通孔，最小工作温度范围为-40 C，最大工作温度范围+85 C，最大时钟频率为20 MHz，接口类型为SCI，数据RAM大小为160B，数据转换器为A/D 4x10b，数据总线宽度为8位，核心大小为8位；核心处理器为S08，核心为S08；ADC分辨率为10位。
MC9S08QA2CFQE是IC MCU 8BIT 2KB FLASH 8QFN，包括10位ADC分辨率，它们设计用于S08核心，数据表说明中显示了用于S08的核心处理器，提供8位等核心尺寸功能，数据总线宽度设计用于8位，以及a/D 4x10b数据转换器，该设备还可以用作160 B数据RAM大小。此外，接口类型为SCI，该设备的最大时钟频率为20 MHz，最大工作温度范围为+85 C，最小工作温度范围-40 C，安装类型为SMD/SMT，ADC通道数为4，I/O数为4，工作电源电压为1.8 V至3.6 V，其工作温度范围为-40°C至85°C（TA），振荡器类型为内部，封装外壳为8-VDFN裸露焊盘，封装为托盘，外围设备为LVD、POR、PWM、WDT，处理器系列为MC9S08，程序内存大小为2KB（2K x 8），程序内存类型为FLASH，RAM大小为160 x 8，系列为S08，速度为20MHz，供应商设备封装为8-QFN EP（4x4），电源电压最大值为3.6V，电源电压最小值为1.8V，单位重量为0.001319盎司，电源Vcc Vdd为1.8V~3.6V。
