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MC9S08QG8CPBE是IC MCU 8BIT 8KB FLASH 16DIP，包括S08系列，它们设计用于管式包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.038136盎司，提供安装方式功能，如通孔、，包装箱设计用于16-DIP（0.300“，7.62mm），其工作温度范围为-40°C~85°C（TA），该设备也可以用作16-DIP供应商设备包。此外，I/O数量为12，设备以20MHz速度提供，设备具有S08核心处理器，RAM大小为512 x 8，程序存储器类型为FLASH，外围设备为LVD、POR、PWM、WDT，连接为I2C、SCI、SPI，电压供应Vcc Vdd为1.8 V ~ 3.6 V，核心大小为8位，程序存储器大小为8KB（8K x 8），数据转换器为A/D 8x10b，振荡器类型为内部，最大工作温度范围为+85 C，最小工作温度范围-40 C，工作电源电压为1.8 V至3.6 V，接口类型为I2C SCI SPI，内核为S08，处理器系列为MC9S08，数据总线宽度为8位，电源电压最大值为3.6 V，电源电压Min为1.8V，最大时钟频率为20MHz，ADC通道数为8，I/O数为12 I/O，数据RAM大小为512B，数据ROM大小为64B，定时器计数器数为8 Timer，ADC分辨率为10位，数据ROM类型为EEPROM。
MC9S08QG8MFFE是集成电路MCU 8BIT 8KB FLASH 16QFN，包括1.8 V~3.6 V电压供应Vcc Vdd，它们设计为在0.002004 oz单位重量下运行，数据表中显示了1.8 V中使用的最小供应电压，提供3.6 V等最大供应电压功能，供应商设备包设计为在16-QFN-EP（5x5）中工作，以及20MHz速度，该设备也可以用作S08系列。此外，RAM大小为512 x 8，该设备采用FLASH程序存储器类型，该设备具有8KB（8K x 8）的程序存储器大小，处理器系列为MC9S08，外围设备为LVD、POR、PWM、WDT，封装为托盘，封装外壳为16-VQFN外露焊盘，振荡器类型为内部，其工作温度范围为-40°C~125°C（TA），工作电源电压为1.8 V至3.6 V，定时器计数器的数量为1个定时器，I/O的数量为12个I/O，I/O数量为12，安装类型为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-40 C，最大工作温度范围+125 C，最大时钟频率为20 MHz，接口类型为I2C SCI SPI，数据RAM大小为512 B，数据转换器为A/D 8x10b，数据总线宽度为8位，核心大小为8位；核心处理器为S08，核心为S08；连接为I2C、SCI、SPI。
MC9S08QG8MDNE是IC MCU 8BIT 8KB FLASH 8SOIC，包括I2C、SCI、SPI连接，它们设计为与核心处理器一起工作，核心尺寸如数据表说明所示，用于8位，提供a/D 4x10b等数据转换器功能，I/O数量设计为4个，其工作温度范围为-40°C~125°C（TA），该器件也可以用作内部振荡器类型。此外，封装外壳为8-SOIC（0.154“，3.90mm宽），器件采用管式封装，器件具有LVD、POR、PWM、外围WDT，程序存储器大小为8KB（8K x 8），程序存储器类型为FLASH，RAM大小为512 x 8，系列为S08，速度为20MHz，供应商器件封装为8-SOC，电源Vcc Vdd为1.8 V ~ 3.6 V。
