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MC9S08QG8MFQE是IC MCU 8BIT 8KB FLASH 8QFN,包括S08系列,它们设计用于托盘包装,单位重量如数据表注释所示,用于0.001319盎司,提供SMD/SMT等安装方式功能,包装盒设计用于8-VDFN暴露焊盘,其工作温度范围为-40°C~125°C(TA),该设备也可以用作8-QFN EP(4x4)供应商设备包。此外,I/O数量为4,设备以20MHz速度提供,设备具有S08核心处理器,RAM大小为512 x 8,程序存储器类型为FLASH,外围设备为LVD、POR、PWM、WDT,连接为I2C、SCI、SPI,电压供应Vcc Vdd为1.8 V ~ 3.6 V,核心大小为8位,程序存储器大小为8KB(8K x 8),数据转换器为A/D 4x10b,振荡器类型为内部,最大工作温度范围为+125 C,最小工作温度范围-40 C,工作电源电压为1.8 V至3.6 V,接口类型为I2C SCI SPI,内核为S08,处理器系列为MC9S08,数据总线宽度为8位,电源电压最大值为3.6 V,电源电压Min为1.8V,最大时钟频率为20MHz,ADC通道数为4,I/O数为4 I/O,数据RAM大小为512 B,数据ROM大小为8kB,定时器计数器数为1 Timer,ADC分辨率为10位,数据RAM类型为512 B和数据ROM类型为Flash。
MC9S08QG8MPBE是一款集成电路MCU 8BIT 8KB FLASH 16DIP,包括1.8 V~3.6 V电源Vcc Vdd,它们设计为在0.038136盎司单位重量下工作,最小电源电压如数据表注释所示,用于1.8 V,提供3.6 V等最大电源电压功能,该设备也可以用作S08系列。此外,RAM大小为512 x 8,设备采用FLASH程序存储器类型,设备具有8KB(8K x 8)的程序存储器大小,处理器系列为MC9S08,外围设备为LVD、POR、PWM、WDT,封装为Tube,封装外壳为16-DIP(0.300“,7.62mm),振荡器类型为内部,工作温度范围为-40°C~125°C(TA),工作电源电压为1.8 V至3.6 V,定时器计数器的数量为1个定时器,I/O的数量为12个I/O,I/O数量为12,安装类型为通孔,其最小工作温度范围为-40 C,最大工作温度范围+125 C,最大时钟频率为20 MHz,接口类型为I2C SCI SPI,数据RAM大小为512 B,数据转换器为A/D 8x10b,数据总线宽度为8位,核心大小为8位;核心处理器为S08,核心为S08;连接为I2C、SCI、SPI。
MC9S08QG8MFFE是IC MCU 8BIT 8KB FLASH 16QFN,包括I2C、SCI、SPI连接,它们设计用于S08核心,数据表中显示了用于S08的核心处理器,提供了8位等核心大小功能,数据总线宽度设计用于8位,以及a/D 8x10b数据转换器,该设备还可以用作512 B数据RAM大小。此外,接口类型为I2C SCI SPI,该设备的最大时钟频率为20 MHz,最大工作温度范围为+125 C,最小工作温度范围-40 C,安装类型为SMD/SMT,I/O数量为12,I/O数量是12,定时器计数器数量为1个定时器,工作电源电压为1.8 V至3.6 V,其工作温度范围为-40°C至125°C(TA),振荡器类型为内部,封装外壳为16-VQFN裸露焊盘,封装为托盘,外围设备为LVD、POR、PWM、WDT,处理器系列为MC9S08,程序存储器大小为8KB(8K x 8),程序存储器类型为FLASH,RAM大小为512 x 8,系列为S08,速度为20MHz,供应商设备封装为16-QFN-EP(5x5),电源电压最大值为3.6V,电源电压最小值为1.8V,单位重量为0.002004 oz,电源Vcc-Vdd为1.8V~3.6V。
MC9S08QG8MDNE是IC MCU 8BIT 8KB FLASH 8SOIC,包括管封装,它们设计用于S08系列,数据表说明中显示了用于LVD、POR、PWM、WDT的外围设备,提供振荡器类型功能,如内部,连接设计用于I2C、SCI、SPI以及FLASH程序存储器类型,该设备还可以用作A/D 4x10b数据转换器。此外封装外壳为8-SOIC(0.154“,3.90mm宽),该器件采用8-SOIC供应商器件封装,该器件具有8KB(8K x 8)的程序存储器大小,核心大小为8位,RAM大小为512 x 8,工作温度范围为-40°C ~ 125°C(TA),I/O数量为4,速度为20MHz,电源Vcc Vdd为1.8 V ~ 3.6 V,核心处理器为。