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MC9S08SH4CTJ是IC MCU 8BIT 4KB FLASH 20TSSOP，包括S08系列，它们设计用于与MCU产品一起操作。数据表中显示了用于管替代包装的包装，该包装提供单位重量功能，例如0.002871盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及20-TSSOP（0.173“，4.40mm宽）包装箱，其工作温度范围为-40°C~85°C（TA）此外，供应商设备包为20-TSSOP，设备提供17个I/O，设备速度为40MHz，核心处理器为S08，RAM大小为256 x 8，程序存储器类型为FLASH，外围设备为LVD、POR、PWM、WDT，连接为I2C、LIN、SCI、SPI，电压供应Vcc Vdd为2.7 V~5.5 V，核心大小为8位，程序存储器大小为4KB（4K x 8），数据转换器为A/D 12x10b，振荡器类型为内部，最大工作温度范围为+85 C，最小工作温度范围-40 C，工作电源电压为2.7 V至5.5 V，接口类型为I2C SCI SPI，核心为S08，处理器系列为MC9S08，数据总线宽度为8位，电源电压Max为5.5 V，电源电压Min为2.7 V，最大时钟频率为40 MHz，ADC通道数为12，I/O数为17 I/O，数据RAM大小为256 B，定时器计数器数为3 Timer，ADC分辨率为10位。
MC9S08SH4CTJR是一款集成电路MCU 8BIT 4KB FLASH 20TSSOP，包括2.7V~5.5V电压电源Vcc Vdd，它们设计为在0.002871盎司单位重量下工作，数据表中显示了2.7 V中使用的最小电源电压，提供5.5 V等最大电源电压功能，供应商设备包设计为在20-TSSOP中工作，以及40MHz速度，该设备也可以用作S08系列。此外，RAM大小为256 x 8，设备采用FLASH程序存储器类型，设备具有4KB（4K x 8）的程序存储器大小，处理器系列为MC9S08，外围设备为LVD、POR、PWM、WDT，封装为磁带和卷轴（TR）交替封装，封装外壳为20-TSSOP（0.173英寸，4.40mm宽），振荡器类型为内部，工作温度范围为-40°C~85°C（TA），工作电源电压为5V，定时器计数器的数量为2个定时器，I/O的数量为17个I/O，I/O数量为17，ADC通道的数量为12，安装类型为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-40 C，最大工作温度范围+85 C，最大时钟频率为40 MHz，接口类型为I2C/SCI/SPI，数据RAM大小为256 B，数据转换器为A/D 12x10b，数据总线宽度为8位，核心大小为8位；核心处理器为S08，核心为S08；连接为I2C、LIN、SCI、SPI，ADC分辨率为10位。
MC9S08SH4CWJ是IC MCU 8BIT 4KB FLASH 20SOIC，包括10位ADC分辨率，它们设计用于I2C、LIN、SCI、SPI连接，数据表说明中显示了用于S08的核心，提供S08等核心处理器功能，核心尺寸设计用于8位，以及8位数据总线宽度，该设备还可以用作a/D 12x10b数据转换器。此外，数据RAM大小为256 B，该设备采用I2C SCI SPI接口类型，该设备的最大时钟频率为40 MHz，最大工作温度范围为+85 C，最小工作温度范围-40 C，安装类型为SMD/SMT，ADC通道数为12，I/O数为17，I/O数量为17，定时器计数器的数量为2个定时器，工作电源电压为2.7V至5.5V，工作温度范围为-40°C~85°C（TA），振荡器类型为内部，封装外壳为20-SOIC（0.295“，7.50mm宽），封装为管交替封装，外围设备为LVD、POR、PWM、WDT，处理器系列为MC9S08，程序存储器大小为4KB（4K x 8），程序存储器类型为FLASH，RAM大小为256 x 8，系列为S08，速度为40MHz，供应商器件封装为20-SOIC W，电源电压最大值为5.5 V，电源电压最小值为2.7 V，单位重量为0.018325 oz，电源Vcc Vdd为2.7 V ~ 5.5 V。
