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MC9S08QG8CDTE是集成电路MCU 8BIT 8KB FLASH 16TSSOP,包括S08系列,它们设计用于管式交替包装包装,单位重量如数据表注释所示,用于0.002194盎司,提供SMD/SMT等安装方式功能,包装箱设计用于16-TSSOP(0.173“,4.40mm宽),其工作温度范围为-40°C~85°C(TA),该设备也可用作16-TSSOP供应商设备包。此外,I/O数量为12,设备以20MHz速度提供,设备具有S08核心处理器,RAM大小为512 x 8,程序存储器类型为FLASH,外围设备为LVD、POR、PWM、WDT,连接为I2C、SCI、SPI,电压供应Vcc Vdd为1.8 V ~ 3.6 V,核心大小为8位,程序存储器大小为8KB(8K x 8),数据转换器为A/D 8x10b,振荡器类型为内部,最大工作温度范围为+85 C,最小工作温度范围-40 C,工作电源电压为1.8 V至3.6 V,接口类型为I2C SCI SPI,内核为S08,处理器系列为MC9S08,数据总线宽度为8位,电源电压最大值为3.6 V,电源电压Min为1.8V,最大时钟频率为20MHz,ADC通道数为8,I/O数为12 I/O,数据RAM大小为512B,数据ROM大小为64B,定时器计数器数为8 Timer,ADC分辨率为10位,数据ROM类型为EEPROM。
MC9S08QG8CDTER是IC MCU 8BIT 8KB FLASH 16TSSOP,包括1.8 V~3.6 V电压供应Vcc Vdd,它们设计为在0.002194 oz单位重量下运行,数据表说明中显示了在1.8 V中使用的最小供应电压,提供3.6 V等最大供应电压功能,供应商设备包设计为在16-TSSOP中工作,以及20MHz速度,该设备也可以用作S08系列。此外,RAM大小为512 x 8,设备采用FLASH程序存储器类型,设备的程序存储器大小为8KB(8K x 8),处理器系列为MC9S08,外围设备为LVD、POR、PWM、WDT,封装为Digi-ReelR交替封装,封装外壳为16-TSSOP(0.173英寸,4.40mm宽),振荡器类型为内部,工作温度范围为-40°C~85°C(TA),工作电源电压为1.8 V至3.6 V,定时器计数器的数量为1个定时器,I/O的数量为12个I/O,I/O数量为12,安装类型为SMD/SMT,其最小工作温度范围为-40 C,最大工作温度范围+85 C,最大时钟频率为20 MHz,接口类型为I2C SCI SPI,数据RAM大小为512 B,数据转换器为A/D 8x10b,数据总线宽度为8位,核心大小为8位;核心处理器为S08,核心为S08;连接为I2C、SCI、SPI。
MC9S08QG8CDNER是IC MCU 8BIT 8KB FLASH 8SOIC,包括I2C、SCI、SPI连接,它们设计为与核心处理器一起工作,核心尺寸如数据表说明所示,用于8位,提供a/D 4x10b等数据转换器功能,I/O数量设计为4个,其工作温度范围为-40°C~85°C(TA),该器件也可以用作内部振荡器类型。此外封装外壳为8-SOIC(0.154英寸,3.90mm宽),该器件采用Digi-ReelR交替封装,该器件具有LVD、POR、PWM、WDT外围设备,程序存储器大小为8KB(8K x 8),程序存储器类型为FLASH,RAM大小为512 x 8,系列为S08,速度为20MHz,供应商器件封装为8-SOIC,电压供应Vcc Vdd为1.8V~3.6V。