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MC9S08QA2CDNE是IC MCU 8BIT 2KB FLASH 8SOIC,包括S08系列,它们设计用于与MCU产品一起工作,包装如数据表注释所示,用于管中,提供单位重量功能,如0.002616盎司,安装样式设计用于SMD/SMT,以及8-SOIC(0.154英寸,3.90mm宽)封装外壳,其工作温度范围为-40°C~85°C(TA)此外,供应商设备包为8-SOIC,设备提供4个I/O,设备速度为20MHz,核心处理器为S08,RAM大小为160 x 8,程序存储器类型为FLASH,外围设备为LVD、POR、PWM、WDT,电源Vcc Vdd为1.8 V ~ 3.6 V,核心大小为8位,程序存储器大小为2KB(2K x 8),数据转换器为A/D 4x10b,振荡器类型为内部,最大工作温度范围为+85 C,最小工作温度范围-40 C,工作电源电压为1.8 V至3.6 V,接口类型为SCI,核心为HCS08,处理器系列为MC9S08QA2,数据总线宽度为8位,电源电压最大值为3.6 V,电源电压Min为1.8V,最大时钟频率为20MHz,ADC通道数为4,I/O数为5 I/O,数据RAM大小为160B,定时器计数器数为1定时器,ADC分辨率为10位。
MC9S08QA2CFQE是IC MCU 8BIT 2KB FLASH 8QFN,包括1.8 V~3.6 V电源Vcc Vdd,它们设计为在0.001319盎司单位重量下工作,数据表中显示了1.8 V的最小电源电压,提供3.6 V等最大电源电压功能,供应商设备包设计为在8-QFN EP(4x4)以及20MHz速度下工作,该设备也可以用作S08系列。此外,RAM大小为160 x 8,该设备采用FLASH程序存储器类型,该设备具有2KB(2K x 8)的程序存储器大小,处理器系列为MC9S08,外围设备为LVD、POR、PWM、WDT,包装为托盘,包装盒为8-VDFN外露垫,振荡器类型为内部,其工作温度范围为-40°C~85°C(TA),工作电源电压为1.8 V至3.6 V,定时器计数器的数量为1个定时器,I/O的数量为5个I/O,I/O的数目为4,ADC通道的数量为4,安装类型为SMD/SMT,最小工作温度范围为-40 C,最大工作温度范围+85 C,最大时钟频率为20 MHz,接口类型为SCI,数据RAM大小为160B,数据转换器为A/D 4x10b,数据总线宽度为8位,核心大小为8位;核心处理器为S08,核心为S08;ADC分辨率为10位。
MC9S08PT8VWJ是IC MCU 8BIT 8KB FLASH 20SOIC,包括I2C、LIN、SPI、UART/USART连接,它们设计为与S08核心处理器一起工作,数据表说明中显示了用于8位的核心尺寸,提供了a/D 12x12b等数据转换器功能,EEPROM尺寸设计为256 x 8,其工作温度范围为-40°C~105°C(TA)。此外,振荡器类型是内部的,该器件采用20-SOIC(0.295“,7.50mm宽)封装盒,该器件具有一个封装管,外围设备为LVD、POR、PWM、WDT,程序存储器大小为8KB(8K x 8),程序存储器类型为FLASH,RAM大小为2K x 8,系列为S08,速度为20MHz,供应商器件封装为20-SOIC W,电源Vcc Vdd为2.7V ~ 5.5V。