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MC9S08QD2CSCR是IC MCU 8BIT 2KB FLASH 8SOIC,包括S08系列,它们设计用于与MCU产品一起工作。数据表备注中显示了用于Digi-ReelR替代包装的包装,该包装提供单位重量功能,如0.002616盎司,安装样式设计用于SMD/SMT,以及8-SOIC(0.154英寸,3.90mm宽)封装外壳,其工作温度范围为-40°C~85°C(TA)此外,供应商设备包为8-SOIC,设备提供4个I/O数量,设备速度为16MHz,核心处理器为S08,RAM大小为128 x 8,程序存储器类型为FLASH,外围设备为LVD、POR、PWM、WDT,电源Vcc Vdd为2.7 V~5.5 V,核心大小为8位,程序存储器大小为2KB(2K x 8),数据转换器为A/D 4x10b,振荡器类型为内部,最大工作温度范围为+85 C,最小工作温度范围-40 C,工作电源电压为2.7 V至5.5 V,核心为HCS08,处理器系列为MC9S08QD2,数据总线宽度为8位,电源电压最大值为5.5 V,电源电压最小值为2.7 V,最大时钟频率为16 MHz,ADC通道数为4,I/O数为4 I/O,数据RAM大小为128 B,定时器计数器数为3定时器,ADC分辨率为10位。
MC9S08QD2CSC是集成电路MCU 8BIT 2KB FLASH 8SOIC,包括2.7 V~5.5 V电压源Vcc Vdd,它们设计为在0.002616盎司单位重量下工作,数据表备注中显示了2.7 V中使用的最小电源电压,提供5.5 V等最大电源电压功能,供应商设备包设计为在8-SOIC中工作,以及16MHz速度,该设备也可以用作S08系列。此外,RAM大小为128 x 8,该设备采用FLASH程序存储器类型,该设备具有2KB(2K x 8)的程序存储器大小,产品为MCU,处理器系列为MC9S08QD2,外围设备为LVD、POR、PWM、WDT,封装为管交替封装,封装外壳为8-SOIC(0.154“,3.90mm宽),振荡器类型为内部,工作温度范围为-40°C~85°C(TA),工作电源电压为2.7 V至5.5 V,定时器计数器的数量为3个定时器,I/O的数量为4个I/O,I/O的数目为4个,ADC通道的数量为6个,安装类型为SMD/SMT,最小工作温度范围为-40 C,最大工作温度范围+85 C,最大时钟频率为16 MHz,数据RAM大小为128B,数据转换器为A/D 4x10b,数据总线宽度为8位,核心大小为8位;核心处理器为S08,核心为HCS08,ADC分辨率为10位。
MC9S08QD2MPC是IC MCU 8BIT 2KB FLASH 8PDIP,包括10位ADC分辨率,它们设计用于S08核心,数据表说明中显示了用于S08的核心处理器,提供了8位等核心尺寸功能,数据总线宽度设计用于8位,以及a/D 4x10b数据转换器,该设备还可以用作128 B数据RAM大小。此外,最大时钟频率为8 MHz,最大工作温度范围为+85 C,最小工作温度范围-40 C,安装方式为通孔,ADC通道数为4,I/O数为4;I/O数为6 I/O,定时器计数器数为3定时器,工作电源电压为2.7 V至5.5 V,其工作温度范围为-40°C~125°C(TA),振荡器类型为内部,封装外壳为8-DIP(0.300英寸,7.62毫米),封装为管状,外围设备为LVD、POR、PWM、WDT,处理器系列为MC9S08,产品为MCU,程序内存大小为2KB(2K x 8),程序存储器类型为FLASH,RAM大小为128 x 8,系列为S08,速度为16MHz,供应商设备包为8-PDIP,电源电压最大值为5.5 V,电源电压最小值为2.7 V,单位重量为0.014889 oz,电源Vcc Vdd为2.7 V~5.5 V。