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S9S08SG8E2MTJR是集成电路MCU 8BIT 8KB FLASH 20TSSOP，包括S08系列，它们设计用于磁带和卷轴（TR）交替包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.002871盎司，提供SMD/SMT等安装样式功能，包装箱设计用于20-TSSOP（0.173“，4.40mm宽），其工作温度范围为-40°C~125°C（TA），该设备也可用作20-TSSOP供应商设备包。此外，I/O数量为16，设备以40MHz速度提供，设备具有S08核心处理器，RAM大小为512 x 8，程序存储器类型为FLASH，外围设备为LVD、POR、PWM、WDT，连接为I2C、LIN、SCI、SPI，电压供应Vcc Vdd为2.7 V~5.5 V，核心大小为8位，程序存储器大小为8KB（8K x 8），数据转换器为A/D 12x10b，振荡器类型为内部，最大工作温度范围为+125 C，最小工作温度范围-40 C，工作电源电压为2.7 V至5.5 V，接口类型为SCI SPI I2C，核心为HCS08，处理器系列为MC9S08SG8，数据总线宽度为8位，电源电压最大值为5.5 V，电源电压Min为2.7V，最大时钟频率为20MHz，ADC通道数为2，I/O数为16 I/O，数据RAM大小为1kB，定时器计数器数为2 Timer，ADC分辨率为16位，数据RAM类型为RAM。
S9S08SG8E2MTJ是集成电路MCU 8BIT 8KB FLASH 20TSSOP，包括2.7 V~5.5 V电压供应Vcc Vdd，它们设计为在0.002871 oz单位重量下工作，数据表说明中显示了2.7 V中使用的最小供应电压，提供5.5 V等最大供应电压功能，供应商设备包设计为在20-TSSOP中工作，以及40MHz速度，该设备也可以用作S08系列。此外，RAM大小为512 x 8，该设备采用FLASH程序存储器类型，该设备的程序存储器大小为8KB（8K x 8），处理器系列为S08SG，外围设备为LVD、POR、PWM、WDT，封装为管交替封装，封装外壳为20-TSSOP（0.173英寸，4.40mm宽），振荡器类型为内部，工作温度范围为-40°C~125°C（TA），工作电源电压为2.7 V至5.5 V，定时器计数器的数量为2个定时器，I/O的数量为16个I/O，I/O的数目为16个，ADC通道的数量为12个，安装类型为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-40 C，最大工作温度范围+125 C，最大时钟频率为40 MHz，接口类型为SCI SPI，数据RAM大小为512 B，数据转换器为A/D 12x10b，数据总线宽度为8位，核心大小为8位；核心处理器为S08，核心为HCS08，连接为I2C、LIN、SCI、SPI，ADC分辨率为10位。
S9S08SG8E2MTGR是IC MCU 8BIT 8KB FLASH 16TSSOP，包括I2C、LIN、SCI、SPI连接，它们设计为与S08核心处理器一起工作，核心尺寸如数据表注释所示，用于8位，提供a/D 8x10b等数据转换器功能，I/O数量设计为12个，其工作温度范围为-40°C~125°C（TA），该器件也可以用作内部振荡器类型。此外包装箱为16-TSSOP（0.173英寸，4.40mm宽），设备采用磁带和卷轴（TR）交替包装包装，设备具有LVD、POR、PWM、WDT外围设备，程序内存大小为8KB（8K x 8），程序存储器类型为FLASH，RAM大小为512 x 8，系列为S08，速度为40MHz，供应商设备包为16-TSSOP，电源Vcc Vdd为2.7V~5.5V。
