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S9S08SG8E2MTJR是集成电路MCU 8BIT 8KB FLASH 20TSSOP，包括S08系列，它们设计用于磁带和卷轴（TR）交替包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.002871盎司，提供SMD/SMT等安装样式功能，包装箱设计用于20-TSSOP（0.173“，4.40mm宽），其工作温度范围为-40°C~125°C（TA），该设备也可用作20-TSSOP供应商设备包。此外，I/O数量为16，设备以40MHz速度提供，设备具有S08核心处理器，RAM大小为512 x 8，程序存储器类型为FLASH，外围设备为LVD、POR、PWM、WDT，连接为I2C、LIN、SCI、SPI，电压供应Vcc Vdd为2.7 V~5.5 V，核心大小为8位，程序存储器大小为8KB（8K x 8），数据转换器为A/D 12x10b，振荡器类型为内部，最大工作温度范围为+125 C，最小工作温度范围-40 C，工作电源电压为2.7 V至5.5 V，接口类型为SCI SPI I2C，核心为HCS08，处理器系列为MC9S08SG8，数据总线宽度为8位，电源电压最大值为5.5 V，电源电压Min为2.7V，最大时钟频率为20MHz，ADC通道数为2，I/O数为16 I/O，数据RAM大小为1kB，定时器计数器数为2 Timer，ADC分辨率为16位，数据RAM类型为RAM。
S9S08SG8E2VTGR是一款集成电路MCU 8BIT 8KB FLASH 16TSSOP，包括2.7V~5.5V电压电源Vcc Vdd，它们设计为在0.002194盎司单位重量下工作，数据表说明中显示了在2.7V中使用的最小电源电压，提供了5.5V等最大电源电压功能，供应商设备包设计为在16-TSSOP中工作，以及40MHz速度，该设备也可以用作S08系列。此外，RAM大小为512 x 8，设备采用FLASH程序存储器类型，设备具有8KB（8K x 8）的程序存储器大小，处理器系列为MC9S08SG8，外围设备为LVD、POR、PWM、WDT，封装为磁带和卷轴（TR）交替封装，封装外壳为16-TSSOP（0.173英寸，4.40mm宽），振荡器类型为内部，其工作温度范围为-40°C~105°C（TA），工作电源电压为2.7 V至5.5 V，定时器计数器的数量为2个定时器，I/O的数量为16个I/O，I/O的数目为12，ADC通道的数量为12，安装类型为SMD/SMT，最小工作温度范围为-40 C，最大工作温度范围+105 C，最大时钟频率为40 MHz，接口类型为SCI SPI，数据RAM类型为RAM，数据RAM大小为8kB，数据转换器为A/D 8x10b，数据总线宽度为8位，核心大小为8位；核心处理器为S08，核心为S08；连接为I2C、LIN、SCI、SPI，ADC分辨率为10位。
S9S08SG8E2VTG是IC MCU 8BIT 8KB FLASH 16TSSOP，包括10位ADC分辨率，它们设计为与I2C、LIN、SCI、SPI连接一起工作。数据表说明中显示了用于S08的核心，提供S08等核心处理器功能，核心尺寸设计为8位工作，以及8位数据总线宽度，该设备还可以用作a/D 8x10b数据转换器。此外，数据RAM大小为8kB，设备采用RAM数据RAM类型，设备具有接口类型的SCI SPI，最大时钟频率为40MHz，最大工作温度范围为+105 C，最小工作温度范围-40 C，安装类型为SMD/SMT，ADC通道数为12，I/O数为12，I/O数量为16个I/O，定时器计数器数量为2个定时器，工作电源电压为2.7 V至5.5 V，工作温度范围为-40°C至105°C（TA），振荡器类型为内部，封装外壳为16-TSSOP（0.173英寸，4.40mm宽），封装为管交替封装，外围设备为LVD、POR、PWM、WDT，处理器系列为MC9S08SG8，程序内存大小为8KB（8K x 8），程序存储器类型为FLASH，RAM大小为512 x 8，系列为S08，速度为40MHz，供应商设备包为16-TSSOP，电源电压最大值为5.5 V，电源电压最小值为2.7 V，单位重量为0.002194 oz，电源Vcc Vdd为2.7 V~5.5 V。
