通过在单个时钟周期内执行强大的指令，该设备实现了接近每MHz 1 MIPS的吞吐量，平衡了功耗和处理速度。
特色
特征
·高性能、低功耗AVR 8位微控制器
·高级RISC架构
-131Powwerful指令最单时钟周期执行
-32×8通用工作寄存器
-完全静态操作
-20 MHz时最高20 MIPS吞吐量
-片上2周期乘法器
·高耐久性非易失性内存段
-4/8/16/32K字节的系统内自编程闪存
-256/512/512/1K字节EEPROM
-512/1K/1K/2K字节内部SRAM
-写入/擦除周期：10000闪存/100000 EEPROM
-数据保留期：85C时为20年，25-C1时为100年）
-通过片上引导程序真读写操作进行的系统编程中具有独立锁定位的可选引导代码段
-软件安全编程锁
·外围设备功能
-两个8位Tlmer/计数器，具有单独的预分频器和比较模式
-一个16位定时器/计数器，带有单独的预分频器、比较模式和捕获模式
-带独立振荡器的实时计数器
-六个PWM通道
-TOFP和QFNVIMLF封装中的8通道10位ADC温度测量
-PDIP封装温度测量中的6通道10位ADC
-可编程串行USART
-主/从SPl Serlal接口
-面向字节的2线串行接口（兼容Philips IPC）
-带独立片上振荡器的可编程看门狗定时器
-片上模拟比较器
-引脚更换时中断和唤醒
·特殊微控制器功能
-通电复位和可编程断电检测
-内部校准振荡器
-外部和内部中断源
-六种睡眠模式：ldle、ADC降噪、省电、断电、待机和延长待机
·/o和包装
-23条可编程/O线
-28引脚PDIP、32引脚TOFP、28焊盘QF/MLF和32焊盘QFNMMLF
·工作电压：
-1.8-5.5伏
·温度范围：
--40℃至85℃
·速度等级：
-0-4MHz@1.8-5.5V,0-10 MHz@2.7-5.5.V，0-20兆赫@4.5-5.5V
·1 MHz、1.8V、25C时的功耗
-活动模式：0.2mA
-断电模式：0.1 uA
·高性能、低功耗AVR 8位微控制器
·高级RISC架构
-131Powwerful指令最单时钟周期执行
-32×8通用工作寄存器
-完全静态操作
-20 MHz时最高20 MIPS吞吐量
-片上2周期乘法器
·高耐久性非易失性内存段
-4/8/16/32K字节的系统内自编程闪存
-256/512/512/1K字节EEPROM
-512/1K/1K/2K字节内部SRAM
-写入/擦除周期：10000闪存/100000 EEPROM
-数据保留期：85C时为20年，25-C1时为100年）
-通过片上引导程序真读写操作进行的系统编程中具有独立锁定位的可选引导代码段
-软件安全编程锁
·外围设备功能
-两个8位Tlmer/计数器，具有单独的预分频器和比较模式
-一个16位定时器/计数器，带有单独的预分频器、比较模式和捕获模式
-带独立振荡器的实时计数器
-六个PWM通道
-TOFP和QFNVIMLF封装中的8通道10位ADC温度测量
-PDIP封装温度测量中的6通道10位ADC
-可编程串行USART
-主/从SPl Serlal接口
-面向字节的2线串行接口（兼容Philips IPC）
-带独立片上振荡器的可编程看门狗定时器
-片上模拟比较器
-引脚更换时中断和唤醒
·特殊微控制器功能
-通电复位和可编程断电检测
-内部校准振荡器
-外部和内部中断源
-六种睡眠模式：ldle、ADC降噪、省电、断电、待机和延长待机
·/o和包装
-23条可编程/O线
-28引脚PDIP、32引脚TOFP、28焊盘QF/MLF和32焊盘QFNMMLF
·工作电压：
-1.8-5.5伏
·温度范围：
--40℃至85℃
·速度等级：
-0-4MHz@1.8-5.5V,0-10 MHz@2.7-5.5.V，0-20兆赫@4.5-5.5V
·1 MHz、1.8V、25C时的功耗
-活动模式：0.2mA
-断电模式：0.1 uA
-省电模式：0.75 uA（包括32 kHz RTC）
（图片：引线/示意图）
