STM32F411xC/xE设备基于高性能Arm®Cortex®-M4 32位RISC内核，工作频率高达100 MHz。Cortex®-M4内核具有浮点单元（FPU）单精度，支持所有Arm单精度数据处理指令和数据类型。它还实现了一整套DSP指令和一个增强应用程序安全性的内存保护单元（MPU）。
STM32F411xC/xE属于STM32动态效率？产品线（结合了能效、性能和集成的产品），同时添加了一种新的创新功能，称为批处理采集模式（BAM），允许在数据批处理过程中节省更多的功耗。
STM32F411xC/xE包含高速嵌入式存储器（高达512 KB的闪存，128 KB的SRAM），以及连接到两条APB总线、两条AHB总线和32位多AHB总线矩阵的大量增强型I/O和外围设备。
所有设备都提供一个12位ADC、一个低功耗RTC、六个通用16位定时器，包括一个用于电机控制的PWM定时器、两个通用32位定时器。它们还具有标准和高级通信接口。
STM32F411xC/xE在-40至+125°C的温度范围内工作，从1.7（PDR OFF）至3.6 V电源。一套全面的节能模式允许设计低功耗应用。
这些特性使STM32F411xC/xE微控制器适用于广泛的应用。
特色
- 1.7 V至3.6 V电源
- -40°C至85/105/125°C温度范围
- 高达512 KB的闪存
- 128 KB SRAM
- 1.7 V至3.6 V应用电源和I/O
- POR、PDR、PVD和BOR
- 4至26 MHz晶体振荡器
- 内部16 MHz工厂修整RC
- 带校准的32 kHz RTC振荡器
- 带校准的内部32 kHz RC
- 运行：100μA/MHz（外围设备关闭）
- 停止（在停止模式下闪烁，快速唤醒时间）：42μA Typ@25C；25°C时最大65μA
- 停止（在深度断电模式下闪烁，缓慢唤醒时间）：在25°C时降至9μA；25°C时最大28μA
- 待机：1.8μA@25°C/1.7 V，无RTC；11μA@85°C@1.7 V
- 五、蝙蝠RTC电源：1μA@25°C
