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MC9S08QG4CDNE是集成电路MCU 8BIT 4KB FLASH 8SOIC，包括S08系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于0.002616盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装外壳设计用于8-SOIC（0.154“，3.90mm宽），工作温度范围为-40°C~85°C（TA），该器件也可以用作8-SOIC供应商器件封装。此外，I/O数量为4，设备以20MHz速度提供，设备具有S08核心处理器，RAM大小为256 x 8，程序存储器类型为FLASH，外围设备为LVD、POR、PWM、WDT，连接为I2C、SCI、SPI，电源Vcc Vdd为1.8 V ~ 3.6 V，核心大小为8位，程序存储器大小为4KB（4K x 8），数据转换器为A/D 4x10b，振荡器类型为内部，最大工作温度范围为+85 C，最小工作温度范围-40 C，工作电源电压为1.8 V至3.6 V，接口类型为I2C SCI SPI，内核为S08，处理器系列为MC9S08，数据总线宽度为8位，电源电压最大值为3.6 V，电源电压Min为1.8V，最大时钟频率为20MHz，ADC通道数为8，I/O数为4 I/O，数据RAM大小为256V，数据ROM大小为64B，定时器计数器数为8 Timer，ADC分辨率为10位，数据ROM类型为EEPROM。
MC9S08QG44CPBE是一款集成电路MCU 8BIT 4KB FLASH 16DIP，包括1.8 V~3.6 V电源Vcc Vdd，它们设计为与16-DIP供应商设备包一起工作，速度如数据表说明所示，用于20MHz，提供S08等系列功能，RAM大小设计为256 x 8，以及FLASH程序存储器类型，该设备还可以用作4KB（4K x 8）程序内存大小。此外，外围设备为LVD、POR、PWM、WDT，该设备采用管式封装，该设备具有16-DIP（0.300“，7.62mm）封装外壳，振荡器类型为内部，工作温度范围为-40°C~85°C（TA），I/O数量为12，数据转换器为a/D 8x10b，核心尺寸为8位，核心处理器为，连接为I2C、SCI、SPI。
MC9S08QG44CAE是一款集成电路MCU 8BIT 4KB FLASH 8PDIP，包括I2C、SCI、SPI连接，它们设计为与核心处理器一起工作，核心尺寸如数据表说明所示，用于8位，提供a/D 4x10b等数据转换器功能，I/O数量设计为4个，工作温度范围为-40°C~85°C（TA），该器件也可以用作内部振荡器类型。此外，封装外壳为8-DIP（0.300英寸，7.62毫米），器件采用管式封装，器件具有LVD、POR、PWM、WDT外围设备，程序存储器大小为4KB（4K x 8），程序存储器类型为FLASH，RAM大小为256 x 8，系列为S08，速度为20MHz，供应商器件封装为8-PDIP，电源Vcc Vdd为1.8 V ~ 3.6 V。
