STM32F413xG/H设备基于高性能Arm®Cortex®-M4 32位RISC内核，工作频率高达100 MHz。他们的Cortex®-M4内核具有浮点单元（FPU）单精度，支持所有Arm单精度数据处理指令和数据类型。它还实现了一整套DSP指令和一个增强应用程序安全性的内存保护单元（MPU）。
STM32F413xG/H设备属于STM32F4接入产品线（产品结合了能效、性能和集成），同时添加了一种新的创新功能，称为批量采集模式（BAM），可在数据批处理过程中节省更多的功耗。
STM32F413xG/H设备包含高速嵌入式存储器（高达1.5 MB的闪存，320 KB的SRAM），以及连接到两条APB总线、三条AHB总线和32位多AHB总线矩阵的大量增强型I/O和外围设备。
所有设备都提供一个12位ADC、两个12位DAC、一个低功耗RTC、12个通用16位定时器，包括两个用于电机控制的PWM定时器、两个通用32位定时器和一个低功率定时器。
它们还具有标准和高级通信接口。
特色
- 1.7 V至3.6 V电源
- -40°C至85/105/125°C温度范围
- 高达1.5 MB的闪存
- 320 KB SRAM
- 灵活的外部静态存储器控制器，最多支持16位数据总线：SRAM、PSRAM、NOR闪存
- 双模四路SPI接口
- 1.7至3.6 V应用电源和I/O
- POR、PDR、PVD和BOR
- 4至26 MHz晶体振荡器
- 内部16 MHz工厂修整RC
- 带校准的32 kHz RTC振荡器
- 带校准的内部32 kHz RC
- 运行：112μA/MHz（外围设备关闭）
- 停止（在停止模式下闪烁，快速唤醒时间）：42μA典型值。；25°C时最大80μA
- 停止（深度断电模式下闪烁，缓慢唤醒时间）：15μA典型值。；25°C时最大46μA
- 无RTC待机：1.1μA典型值。；85°C时最大14.7μA
- RTC的VBAT电源：1μA@25°C
