STM32F412xE/G设备基于高性能Arm®Cortex®-M4 32位RISC内核，工作频率高达100 MHz。他们的Cortex®-M4内核具有浮点单元（FPU）单精度，支持所有Arm单精度数据处理指令和数据类型。它还实现了一整套DSP指令和一个增强应用程序安全性的内存保护单元（MPU）。
STM32F412xE/G设备属于STM32 Dynamic Efficiency？产品线（结合了能效、性能和集成的产品），同时添加了一种新的创新功能，称为批处理采集模式（BAM），从而在数据批处理过程中节省更多的功耗。
STM32F412xE/G设备包含高速嵌入式存储器（高达1兆字节的闪存，256千字节的SRAM），以及连接到两条APB总线、三条AHB总线和32位多AHB总线矩阵的大量增强型I/O和外围设备。
所有设备都提供一个12位ADC、一个低功耗RTC、十二个通用16位定时器、两个用于电机控制的PWM定时器和两个通用32位定时器。
它们还具有标准和高级通信接口：
此外，STM32F412xE/G设备嵌入了高级外围设备：
STM32F412xE/G器件有7种封装，从48到144针不等。可用外围设备集取决于所选软件包。
STM32F412xE/G的工作温度范围为-40至+125°C，电源电压为1.7（PDR OFF）至3.6 V。一组全面的节能模式允许设计低功耗应用。
这些特性使STM32F412xE/G微控制器适用于广泛的应用。
特色
- 高达1 Mbyte的闪存
- 256 KB SRAM
- 灵活的外部静态存储器控制器，最多支持16位数据总线：SRAM、PSRAM、NOR闪存
- 双模四路SPI接口
- 1.7 V至3.6 V应用电源和I/O
- POR、PDR、PVD和BOR
- 4至26 MHz晶体振荡器
- 内部16 MHz工厂修整RC
- 带校准的32 kHz RTC振荡器
- 带校准的内部32 kHz RC
- 运行：112μA/MHz（外围设备关闭）
- 停止（在停止模式下闪烁，快速唤醒时间）：50μA Typ@25°C；25°C时最大75μA
- 停止（在深度断电模式下闪烁，缓慢唤醒时间）：在25°C时降至18μA；25°C时最大40μA
- 待机：2.4μA@25°C/1.7 V，无RTC；12μA@85°C@1.7 V
- 五、蝙蝠RTC电源：1μA@25°C
