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SIM3C166-B-GM

  • 描述:程序内存类型: FLASH 内核尺寸规格: 32位 程序内存大小: 256KB(256K x 8) 供应商设备包装: 64-QFN (9x9) 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度(TA) 安装类别: 表面安装
  • 品牌: 芯科 (Silicon)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 127.83718 127.83718
10+ 117.51605 1175.16053
25+ 112.64158 2816.03952
80+ 99.24677 7939.74232
230+ 94.37563 21706.39697
440+ 88.28682 38846.20212
945+ 80.98033 76526.41185
  • 库存: 0
  • 单价: ¥127.83719
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥127.84
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规格参数

  • 程序内存类型 FLASH
  • 电源电压 (Vcc/Vdd) 1.8伏~3.6伏
  • 内核尺寸规格 32位
  • 振荡器类别 内部的
  • 安装类别 表面安装
  • 带电可擦可编程只读存储器大小 (EEPROM) -
  • 工作温度 -40摄氏度~85摄氏度(TA)
  • 包装/外壳 64-VFQFN Exposed Pad
  • 供应商设备包装 64-QFN (9x9)
  • 外围设备 烧坏检测/复位,DMA,IS、 POR、PWM、WDT
  • RAM大小 32K x 8
  • 速度 80MHz
  • 程序内存大小 256KB(256K x 8)
  • 部件状态 不适用于新设计
  • 制造厂商 芯科 (Silicon)
  • 处理器核心 手臂皮质-M3
  • 桥接的能力 EBI/EMI,我C、 IrDA、智能卡、SPI、UART/USART
  • I/O数量 50
  • 数据转换器 A/D 28x12b;D/A 2x10b

SIM3C166-B-GM 产品详情

SiM3C166-B-GM是一种基于ARM Cortex-M3的微控制器(MCU),速度高达80 MHz,是模拟密集型MCU系列节能设备的一部分。通过在该设备中使用完整的DSP指令集和浮点单元,开发人员可以加快计算性能。SiM3C166-B-GM构建在低功耗平台之上,该平台包括创新的低能耗技术、快速唤醒时间和节能模式,是能源敏感应用的理想选择。此外,该设备包括256 kB闪存、32 kB RAM、50个Dig I/O引脚、5 x 16位定时器和多个通信接口。

特色

  • 核心频率:80
  • MHz:ARM Cortex-M3
  • 闪存(kB):256
  • RAM(kB):32
  • I2S:1
  • SPI:3
  • I2C:2
  • UART:4
  • Dig I/O引脚:50
  • ADC:12位,13-ch。,250千磅/秒
  • DAC:10位,2信道。
  • LCD:否
  • 包装类型:QFN64
  • 包装尺寸:9x9
  • 核心频率:80
  • MHz:ARM Cortex-M3
  • 闪存(kB):256
  • RAM(kB):32
  • I2S:1
  • SPI:3
  • I2C:2
  • UART:4
  • Dig I/O引脚:50
  • ADC:12位,13-ch。,250千磅/秒
  • DAC:10位,2信道。
  • LCD:否
  • 包装类型:QFN64
  • 包装尺寸:9x9


SIM3C166-B-GM所属分类:微控制器,SIM3C166-B-GM 由 芯科 (Silicon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。SIM3C166-B-GM价格参考¥127.837185,你可以下载 SIM3C166-B-GM中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询SIM3C166-B-GM规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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