9icnet为您提供由爱普生电子美国公司半导体事业部设计生产的S1C17W18F103100-119，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂、代理商等渠道购买。S1C17W18F103100-119参考价格$4.23832。Epson Electronics America Inc-Semiconductor Div S1C17W18F103100-119封装/规格：IC MCU 16BIT 96KB FLASH 80TQFP。您可以下载S1C17W18F103100-119英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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S1C17W15F002100是IC MCU 16BIT 64KB FLASH 100QFP，包括S1C17W15系列，它们设计用于托盘封装，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供封装盒功能，如100-LQFP，其工作温度范围为-40°C~85°C（TA），以及100-QFP（14x14）供应商设备封装，该设备还可以用作35个I/O。此外，速度为4.2MHz，该设备采用S1C17核心处理器，该设备具有4K x 8的RAM大小，程序存储器类型为FLASH，外围设备为LCD、POR、PWM、RFC、SNDA、WDT，连接为I2C、IrDA、SPI、UART/USART，电源Vcc Vdd为1.2 V ~ 3.6 V，核心大小为16位，程序存储器大小为64KB（64K x 8），振荡器类型为内部，最大工作温度范围为+85 C，最小工作温度范围-40 C，工作电源电压为1.2 V至3.6 V，接口类型为I2C UART，核心为S1C17，数据总线宽度为16位，最大时钟频率为4.2 MHz，数据RAM大小为4kB，ADC分辨率为No ADC，数据RAM类型为RAM。
S1C17W15F003100是IC MCU 16BIT 64KB FLASH 64TQFP，包括1.2 V~3.6 V电压源Vcc Vdd，它们设计为与64-TQFP（10x10）供应商设备包一起工作，速度如数据表说明所示，用于4.2MHz，提供S1C17W15等系列功能，RAM大小设计为4K x 8，以及FLASH程序存储器类型，该设备还可以用作64KB（64K x 8）程序内存大小。此外，外围设备为LCD、POR、PWM、RFC、SNDA、WDT，该设备采用托盘包装，该设备具有64-TQFP封装盒，振荡器类型为内部，其工作温度范围为-40°C~85°C（TA），工作电源电压为1.2V至3.6V，I/O数量为27，安装类型为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-40℃，最大工作温度范围+85℃，最大时钟频率为4.2 MHz，接口类型为I2C UART，数据RAM类型为RAM，数据RAM大小为4kB，数据总线宽度为16位，核心大小为16位；核心处理器为S1C17，核心为S1C18，连接为I2C、IrDA、SPI、，UART/USART，且ADC分辨率为无ADC。
S1C17W15D001000是IC MCU 16BIT 64KB FLASH DIE，包括无ADC ADC分辨率，它们设计为与I2C、IrDA、SPI、UART/USART连接一起工作。数据表说明中显示了用于S1C17的核心，它提供了S1C17等核心处理器功能，核心大小设计为16位工作，以及16位数据总线宽度，该设备还可以用作4 kB数据RAM大小。此外，数据RAM类型为RAM，设备采用I2C UART接口类型，设备的最大时钟频率为4.2 MHz，最大工作温度范围为+85 C，最小工作温度范围-40 C，I/O数量为35，工作电源电压为1.2 V至3.6 V，工作温度范围在-40°C至85°C（TA），振荡器类型为内部，封装外壳为裸片，封装为磁带和卷轴（TR），外围设备为LCD、POR、PWM、RFC、SNDA、WDT，程序存储器大小为64KB（64K x 8），程序存储器类型为FLASH，RAM大小为4K x 8，系列为S1C17W15，速度为4.2MHz，供应商设备封装为裸片。电源Vcc Vdd为1.2V~3.6V。
S1C17M01F201100具有EDA/CAD型号，包括托盘封装，它们设计为与S1C17核心处理器一起工作，振荡器类型如数据表注释所示，用于内部，提供I2C、IrDA、SPI、UART/USART等连接功能，程序存储器类型设计为在FLASH以及AMRC、LCD、PWM、RFC、WDT外围设备中工作，该设备也可以用作64-TQFP（10x10）供应商设备包。此外，封装盒为64-TQFP，该设备提供4K x 8 RAM大小，其工作温度范围为-40°C ~ 85°C（TA），程序内存大小为32KB（32K x 8），I/O数量为19，内核大小为16位，速度为16.3MHz，电源Vcc Vdd为1.8 V ~ 5.5 V。
