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S1C17W22F101100带有引脚细节，包括托盘封装，它们设计用于128-TQFP封装盒，其工作温度范围为-40°C~85°C（TA），提供供应商设备封装功能，如128-TQF（14x14），I/O数量设计用于41，以及4.2MHz速度，该设备也可用作S1C17核心处理器。此外，RAM大小为4K x 8，设备采用FLASH程序存储器类型，设备具有LCD、PWM、RFC、WDT外围设备，连接为I2C、IrDA、SPI、UART/USART，电源Vcc Vdd为1.2 V ~ 3.6 V，内核大小为16位，程序存储器大小为64KB（64K x 8），振荡器类型为内部。
带有用户指南的S1C17W22D00B000，包括1.2 V~3.6 V电源Vcc Vdd，它们设计为以4.2MHz速度运行，数据表说明中显示了用于4K x 8的RAM大小，提供程序存储器类型功能，如FLASH，程序存储器大小设计为64KB（64K x 8），以及LCD、PWM、RFC、WDT外围设备，该设备也可以用作磁带和卷轴（TR）包装。此外，封装外壳为裸片，该设备采用内部振荡器类型，其工作温度范围为-40°C~85°C（TA），I/O数量为41，核心尺寸为16位，核心处理器为，连接为I2C、IrDA、SPI、UART/USART。
带有电路图的S1C17W22D101100，包括I2C、IrDA、SPI、UART/USART连接，它们设计为与S1C17核心处理器一起工作，数据表说明中显示了用于16位处理器的核心尺寸，提供了41个I/O功能，其工作温度范围为-40°C~85°C（TA），以及内部振荡器类型，该装置也可用作模具封装盒。此外，包装为托盘，设备提供LCD、PWM、RFC、WDT外围设备，设备具有64KB（64K x 8）的程序存储器大小，程序存储器类型为FLASH，RAM大小为4K x 8，速度为4.2MHz，供应商设备包装为裸片，电压供应Vcc Vdd为1.2V ~ 3.6V。
S1C17W22F00B100带有EDA/CAD型号，包括托盘封装，它们设计用于LCD、PWM、RFC、WDT外围设备，振荡器类型如数据表说明所示，用于内部，提供I2C、IrDA、SPI、UART/USART等连接功能。程序存储器类型设计用于FLASH，以及64KB（64K x 8）程序存储器大小，该设备还可以用作4K x 8 RAM大小。此外，I/O数量为41，其工作温度范围为-40°C~85°C（TA），设备速度为4.2MHz，核心尺寸为16位，封装外壳为128-TQFP，电源Vcc-Vdd为1.2V~3.6V，核心处理器为。
