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S9S08SG4E2CTJ是集成电路MCU 8BIT 4KB FLASH 20TSSOP，包括S08系列，它们设计用于管交替包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.002871盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装箱设计用于20-TSSOP（0.173“，4.40mm宽），其工作温度范围为-40°C~85°C（TA），该设备也可用作20-TSSOP供应商设备包。此外，I/O数量为16，该设备以40MHz速度提供，该设备具有S08核心处理器，RAM大小为256 x 8，程序存储器类型为FLASH，外围设备为LVD、POR、PWM、WDT，连接为I2C、LIN、SCI、SPI，电源Vcc Vdd为2.7 V~5.5 V，核心大小为8位，程序存储器大小为4KB（4K x 8），数据转换器为A/D 12x10b，振荡器类型为内部，最大工作温度范围为+85 C，最小工作温度范围-40 C，工作电源电压为2.7 V至5.5 V，接口类型为SCI SPI，核心为HCS08，处理器系列为S08SG，数据总线宽度为8位，电源电压最大值为5.5 V，电源电压Min为2.7V，最大时钟频率为40MHz，ADC通道数为12，数据RAM大小为256B，定时器计数器数为3定时器，ADC分辨率为10位，数据RAM类型为RAM。
S9S08SG4E2CTJR是IC MCU 8BIT 4KB FLASH 20TSSOP，包括2.7 V~5.5 V电源Vcc Vdd，它们设计为与20-TSSOP供应商设备包一起工作，速度如数据表说明所示，用于40MHz，提供S08等系列功能，RAM大小设计为256 x 8，以及FLASH程序存储器类型，该设备还可以用作4KB（4K x 8）程序内存大小。此外，外围设备是LVD、POR、PWM、WDT，该设备以磁带和卷轴（TR）替代包装包装形式提供，该设备具有20-TSSOP（0.173“，4.40mm宽）封装外壳，振荡器类型为内部，工作温度范围为-40°C~85°C（TA），I/O数量为16，数据转换器为a/D 12x10b，核心尺寸为8位，核心处理器为S08，连接为I2C、LIN、SCI、SPI。
S9S08SG4E2MSC是IC MCU 8BIT 4KB FLASH 8SOIC，包括I2C、LIN、SCI、SPI连接，它们设计为与核心处理器一起工作，核心尺寸如数据表说明所示，用于8位，提供a/D 4x10b等数据转换器功能，I/O数量设计为4个，其工作温度范围为-40°C~125°C（TA），该器件也可以用作内部振荡器类型。此外，封装外壳为8-SOIC（0.154“，3.90mm宽），器件采用管式封装，器件具有LVD、POR、PWM、WDT外围设备，程序存储器大小为4KB（4K x 8），程序存储器类型为FLASH，RAM大小为256 x 8，系列为S08，速度为40MHz，供应商器件封装为8-SOC，电源Vcc Vdd为2.7V~5.5V。
