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MC9S08QA4CDNE是IC MCU 8BIT 4KB FLASH 8SOIC,包括S08系列,它们设计用于与MCU产品一起工作,包装如数据表注释所示,用于管中,提供单位重量功能,如0.002616盎司,安装样式设计用于SMD/SMT,以及8-SOIC(0.154英寸,3.90mm宽)封装外壳,其工作温度范围为-40°C~85°C(TA)此外,供应商设备包为8-SOIC,设备提供4个I/O,设备速度为20MHz,核心处理器为S08,RAM大小为256 x 8,程序存储器类型为FLASH,外围设备为LVD、POR、PWM、WDT,电源Vcc Vdd为1.8 V ~ 3.6 V,核心大小为8位,程序存储器大小为4KB(4K x 8),数据转换器为A/D 4x10b,振荡器类型为内部,最大工作温度范围为+85 C,最小工作温度范围-40 C,工作电源电压为1.8 V至3.6 V,接口类型为I2C SCI SPI,核心为HCS08,处理器系列为MC9S08QA4,数据总线宽度为8位,电源电压最大值为3.6 V,电源电压Min为1.8 V,最大时钟频率为20 MHz,ADC通道数为4,I/O数为5 I/O,数据RAM大小为256 B,定时器计数器数为1定时器,ADC分辨率为10位。
MC9S08QA4CFQE是一款集成电路MCU 8BIT 4KB FLASH 8QFN,包括1.8 V~3.6 V电源Vcc Vdd,其设计可在0.001319盎司单位重量下工作,数据表中显示了1.8 V的最小电源电压,提供3.6 V等最大电源电压功能,供应商设备包设计可在8-QFN EP(4x4)以及20MHz速度下工作,该设备也可以用作S08系列。此外,RAM大小为256 x 8,该设备为FLASH程序存储器类型,该设备具有4KB(4K x 8)的程序存储器大小,处理器系列为MC9S08,外围设备为LVD、POR、PWM、WDT,包装为托盘,包装盒为8-VDFN外露垫,振荡器类型为内部,其工作温度范围为-40°C~85°C(TA),工作电源电压为1.8 V至3.6 V,定时器计数器的数量为1个定时器,I/O的数量为5个I/O,I/O的数目为4,ADC通道的数量为4,安装类型为SMD/SMT,最小工作温度范围为-40 C,最大工作温度范围+85 C,最大时钟频率为20 MHz,接口类型为I2C SCI SPI,数据RAM大小为256 B,数据转换器为A/D 4x10b,数据总线宽度为8位,核心大小为8位;核心处理器为S08,核心为S08;ADC分辨率为10位。
MC9S08QA2CPAE是IC MCU 8BIT 2KB FLASH 8PDIP,包括10位ADC分辨率,它们设计用于S08核心,数据表说明中显示了用于S08的核心处理器,提供了8位等核心尺寸功能,数据总线宽度设计用于8位,以及a/D 4x10b数据转换器,该设备还可以用作160 B数据RAM大小。此外,接口类型为SCI,设备的最大时钟频率为20 MHz,最大工作温度范围为+85 C,最小工作温度范围-40 C,安装方式为通孔,ADC通道数为4,I/O数为4个,I/O数5个,定时器计数器数为1个定时器,工作电源电压为1.8V至3.6V,工作温度范围为-40°C至85°C(TA),振荡器类型为内部,封装外壳为8-DIP(0.300英寸,7.62毫米),封装为管状,外围设备为LVD、POR、PWM、WDT,处理器系列为MC9S08,程序内存大小为2KB(2K x 8),程序存储器类型为FLASH,RAM大小为160 x 8,系列为S08,速度为20MHz,供应商设备包为8-PDIP,电源电压最大值为3.6V,电源电压最小值为1.8V,单位重量为0.014889oz,电源Vcc Vdd为1.8V~3.6V。