XE162N（LQFP-64）和XE164N（LQFP-100）微控制器系列基于Infineon流行且成熟的C166架构。
特色
- 包装：PG-LQFP-100
- CAN节点：0
- 程序内存：128.0 KB
- FlexRay公司™: 不
- 串行I/O接口类型：6 x SPI、LIN、UART、IIC、IIS
SAF-XE164HN-40F80LAA
- 描述:16-BIT FLASH RISC MICROCONTROLLE
- 品牌: 英飞凌 (Infineon)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 73
- 库存: 0
- 单价: ¥30.05804
-
数量:
- +
- 总计: ¥2,194.24
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 带电可擦可编程只读存储器大小 (EEPROM) -
- 处理器核心 -
- 内核尺寸规格 -
- 速度 -
- 桥接的能力 -
- 外围设备 -
- I/O数量 -
- 程序内存大小 -
- 程序内存类型 -
- RAM大小 -
- 电源电压 (Vcc/Vdd) -
- 数据转换器 -
- 振荡器类别 -
- 工作温度 -
- 供应商设备包装 -
- 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
- 安装类别 -
- 包装/外壳 -
SAF-XE164HN-40F80LAA 产品详情
SAF-XE164HN-40F80LAA 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | SAF12C-02G03 | 安费诺环保连接器 (Amphenol LTW) | 种类: 信号，盖章 接触头种类: Socket 接触头尺寸规格: twelve 触点端接: 压接 连接头材料: 铜合金 连接头表面工艺: 金 | ¥4.72672 |
| SAF12C-03G03 | 安费诺环保连接器 (Amphenol LTW) | 种类: 信号，盖章 接触头种类: Socket 接触头尺寸规格: twelve 触点端接: 压接 连接头材料: 铜合金 连接头表面工艺: 金 | ¥467.22572 |
| SAF20D-02G03 | 安费诺环保连接器 (Amphenol LTW) | 种类: 信号，盖章 接触头种类: Socket 接触头尺寸规格: twenty 触点端接: 压接 连接头材料: 铜合金 连接头表面工艺: 金 | ¥1,539.76811 |
| SAF16B-02G03 | 安费诺环保连接器 (Amphenol LTW) | 种类: 信号，盖章 接触头种类: Socket 接触头尺寸规格: sixteen 触点端接: 压接 连接头材料: 铜合金 连接头表面工艺: 金 | ¥2,127.99299 |
| SAF20D-03G03 | 安费诺环保连接器 (Amphenol LTW) | 种类: 信号，盖章 接触头种类: Socket 接触头尺寸规格: twenty 触点端接: 压接 连接头材料: 铜合金 连接头表面工艺: 金 | ¥308.05502 |
| SAFE-T/3X10EBY | 3M (3M) | SAFETY-WALK CUSHION MATTING 5100 | ¥1,010.25418 |
| SAFE-T/3X20QTRD | 3M (3M) | SAFETY-WALK CUSHION MATTING 5100 | ¥328.71177 |
| SAFE-T/3X5EBY | 3M (3M) | SAFETY-WALK CUSHION MATTING 5100 | ¥478.56738 |
| SAFC165UTAHLF S LLF | 英特尔 (Intel RealSense) | SAFC165UTAHLF S LLF | ¥0.34185 |
 | SAFC1808X7R202-102KNE | 文克尔 (Venkel) | 电容: 1000 pF 公差: ±10% 额定电压: 250VAC 温度系数: X7R 包装/外壳: 1808（4520公制） 工作温度: -55摄氏度~125摄氏度 | ¥0.81483 |
SAF-XE164HN-40F80LAA所属分类：微控制器，SAF-XE164HN-40F80LAA 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产，可通过久芯网进行购买。SAF-XE164HN-40F80LAA价格参考￥30.058035，你可以下载 SAF-XE164HN-40F80LAA中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询SAF-XE164HN-40F80LAA规格参数、现货库存、封装信息等信息！
英飞凌 (Infineon)
1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。
