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S9S08SG4E2CSC是集成电路MCU 8BIT 4KB FLASH 8SOIC,包括S08系列,它们设计用于管式封装,单位重量如数据表注释所示,用于0.002616盎司,提供SMD/SMT等安装方式功能,封装外壳设计用于8-SOIC(0.154“,3.90mm宽),工作温度范围为-40°C~85°C(TA),该器件也可以用作8-SOIC供应商器件封装。此外,I/O数量为4,该设备以40MHz速度提供,该设备具有S08核心处理器,RAM大小为256 x 8,程序存储器类型为FLASH,外围设备为LVD、POR、PWM、WDT,连接为I2C、LIN、SCI、SPI,电源Vcc Vdd为2.7 V~5.5 V,核心大小为8位,程序存储器大小为4KB(4K x 8),数据转换器为A/D 4x10b,振荡器类型为内部,最大工作温度范围为+85 C,最小工作温度范围-40 C,工作电源电压为2.7 V至5.5 V,接口类型为I2C SCI SPI,核心为HCS08,处理器系列为S08SG,数据总线宽度为8位,电源电压最大值为5.8 V,电源电压Min为-0.3 V,最大时钟频率为40 MHz,ADC通道数为12,I/O数为16 I/O,数据RAM大小为256 B,定时器计数器数为2 Timer,ADC分辨率为10位,数据RAM类型为SRAM。
S9S08SG4E2CTGR是IC MCU 8BIT 4KB FLASH 16TSSOP,包括2.7 V~5.5 V电压供应Vcc Vdd,它们设计为在0.002194盎司单位重量下运行。数据表说明中显示了用于16-TSSOP的供应商设备包,该产品提供40MHz等速度特性,系列设计用于S08,以及256 x 8 RAM大小,该设备也可以用作FLASH程序存储器类型。此外,程序内存大小为4KB(4K x 8),该设备提供LVD、POR、PWM、WDT外围设备,该设备具有磁带和卷轴(TR)交替包装,封装外壳为16-TSSOP(0.173英寸,4.40mm宽),振荡器类型为内部,工作温度范围为-40°C~85°C(TA),工作电源电压为2.7 V至5.5 V,定时器计数器的数量为1个定时器,I/O的数量为12个I/O,I/O数量为12,ADC通道的数量为8,安装类型为SMD/SMT,其最小工作温度范围为-40 C,最大工作温度范围+85 C,最大时钟频率为40 MHz,接口类型为I2C SCI SPI,数据RAM大小为256 B,数据转换器为A/D 8x10b,数据总线宽度为8位,核心大小为8位;核心处理器为S08,核心为HCS08,连接性为I2C、LIN、SCI、SPI,ADC分辨率为10位。
S9S08SG4E2CTG是IC MCU 8BIT 4KB FLASH 16TSSOP,包括I2C、LIN、SCI、SPI连接,它们设计用于HCS08核心,数据表中显示了用于S08的核心处理器,提供了8位等核心尺寸功能,数据总线宽度设计用于8位,以及a/D 8x10b数据转换器,该设备还可以用作256 B数据RAM大小。此外,数据RAM类型为RAM,设备采用I2C SCI SPI接口类型,设备的最大时钟频率为40 MHz,最大工作温度范围为+85 C,最小工作温度范围-40 C,安装类型为SMD/SMT,I/O数量为12,I/O数量是12,工作电源电压为4.5 V至5.5 V,其工作温度范围为-40°C~85°C(TA),振荡器类型为内部,包装箱为16-TSSOP(0.173英寸,4.40mm宽),包装为管交替包装,外围设备为LVD、POR、PWM、WDT,处理器系列为S08SG,程序内存大小为4KB(4K x 8),程序存储器类型为FLASH,RAM大小为256 x 8,系列为S08,速度为40MHz,供应商设备包为16-TSSOP,单位重量为0.002194盎司,电压供应Vcc Vdd为2.7 V ~ 5.5 V。