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MC9S08GT8AFBER是IC MCU 8BIT 8KB FLASH 44QFP,包括S08系列,它们设计用于与MCU产品一起工作。包装如数据表说明所示,用于Digi-ReelR替代包装,提供单位重量功能,如0.017588盎司,安装样式设计用于SMD/SMT,以及44-QFP封装盒,其工作温度范围为-40°C~85°C(TA)。此外,供应商设备包为44-QFP(10x10),设备提供36个I/O,设备速度为40MHz,核心处理器为S08,RAM大小为1K x 8,程序存储器类型为FLASH,外围设备为LVD、POR、PWM、WDT,连接为I2C、SCI、SPI,电压供应Vcc Vdd为1.8 V~3.6 V,核心大小为8位,程序存储器大小为8KB(8K x 8),数据转换器为A/D 8x10b,振荡器类型为内部,最大工作温度范围为+85 C,最小工作温度范围-40 C,工作电源电压为1.8 V至3.6 V,接口类型为I2C SCI SPI,内核为HCS08,处理器系列为MC9S08GT8A,数据总线宽度为8位,电源电压最大值为3.6V,电源电压最小值为1.8V,最大时钟频率为40MHz,I/O数量为36I/O,数据RAM大小为1kB,ADC分辨率为10位。
MC9S08GT8ACFCE是集成电路MCU 8BIT 8KB FLASH 32QFN,包括1.8 V~3.6 V电源Vcc Vdd,它们设计为在0.002198盎司的单位重量下工作,数据表说明中显示了1.8 V的最小电源电压,提供3.6 V等最大电源电压功能,供应商设备包设计为在32-QFN暴露焊盘(5x5)中工作,以及40MHz的速度,该设备也可以用作S08系列。此外,RAM大小为1K x 8,该设备采用FLASH程序存储器类型,该设备具有8KB(8K x 8)的程序存储器大小,产品为MCU,处理器系列为MC9S08GT8A,外围设备为LVD、POR、PWM、WDT,包装为托盘,包装箱为32-VFQFN外露垫,振荡器类型为内部,其工作温度范围为-40°C~85°C(TA),工作电源电压为1.8 V至3.6 V,I/O数量为24个I/O,安装类型为SMD/SMT,最小工作温度范围-40 C,最大工作温度范围+85 C,最大时钟频率为40 MHz,接口类型为I2C IRSCI SPI,数据RAM大小为1kB,数据转换器为A/D 4x10b,数据总线宽度为8位,核心大小为8位;核心处理器为S08,核心为HCS08,连接为I2C、SCI、SPI,ADC分辨率为10位。
MC9S08GT8ACFBE是集成电路MCU 8BIT 8KB FLASH 44QFP,包括10位ADC分辨率,它们设计用于I2C、SCI、SPI连接,数据表说明中显示了用于HCS08的核心,提供S08等核心处理器功能,核心尺寸设计用于8位,以及8位数据总线宽度,该设备还可以用作a/D 8x10b数据转换器。此外,数据RAM大小为1 kB,该设备采用I2C IRSCI SPI接口类型,该设备的最大时钟频率为40 MHz,最大工作温度范围为+85 C,最小工作温度范围-40 C,安装类型为SMD/SMT,I/O数量为36,I/O数量是36,工作电源电压为1.8 V至3.6 V,工作温度范围为-40°C至85°C(TA),振荡器类型为内部,封装盒为44-QFP,封装为托盘交替封装,外围设备为LVD、POR、PWM、WDT,处理器系列为MC9S08GT8A,产品为MCU,程序内存大小为8KB(8K x 8),程序存储器类型为FLASH,RAM大小为1K x 8,系列为S08,速度为40MHz,供应商设备封装为44-QFP(10x10),电源电压最大值为3.6V,电源电压最小值为1.8V,单位重量为0.017588oz,电源Vcc-Vdd为1.8V~3.6V。