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S9S08SG16E1CTJ是集成电路MCU 8BIT 16KB FLASH 20TSSOP，包括S08系列，它们设计用于管交替包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.002871盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装箱设计用于20-TSSOP（0.173“，4.40mm宽），其工作温度范围为-40°C~85°C（TA），该设备也可用作20-TSSOP供应商设备包。此外，I/O数量为16，该设备以40MHz速度提供，该设备具有S08核心处理器，RAM大小为1K x 8，程序存储器类型为FLASH，外围设备为LVD、POR、PWM、WDT，连接为I2C、LIN、SCI、SPI，电源Vcc Vdd为2.7 V ~ 5.5 V，核心大小为8位，程序存储器大小为16KB（16K x 8），数据转换器为A/D 12x10b，振荡器类型为内部，最大工作温度范围为+85 C，最小工作温度范围-40 C，工作电源电压为2.7 V至5.5 V，接口类型为SCI SPI，核心为HCS08，处理器系列为S08SG，数据总线宽度为8位，电源电压最大值为5.5 V，电源电压Min为2.7V，最大时钟频率为40MHz，ADC通道数为12，I/O数为16I/O，数据RAM大小为1kB，数据ROM大小为16kB，定时器计数器数为1Timer，ADC分辨率为10位，数据RAM类型为1KB，数据只读存储器类型为Flash。
S9S08SG16E1CTGR是IC MCU 8BIT 16KB FLASH 16TSSOP，包括2.7V~5.5V电压供应Vcc Vdd，它们设计为在0.002194盎司单位重量下运行，数据表说明中显示了在2.7V中使用的最小供应电压，提供5.5 V等最大供应电压功能，供应商设备包设计为在16-TSSOP中工作，以及40MHz速度，该设备也可以用作S08系列。此外，RAM大小为1K x 8，设备采用FLASH程序存储器类型，设备具有16KB（16K x 8）的程序存储器大小，处理器系列为S9S08，外围设备为LVD、POR、PWM、WDT，封装为磁带和卷轴（TR）交替封装，封装外壳为16-TSSOP（0.173英寸，4.40mm宽），振荡器类型为内部，工作温度范围为-40°C~85°C（TA），工作电源电压为2.7 V至5.5 V，定时器计数器的数量为3个定时器，I/O的数量为12个I/O，I/O数量为12，ADC通道的数量为8，安装类型为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-40 C，最大工作温度范围+85 C，最大时钟频率为40 MHz，接口类型为I2C SCI SPI，数据RAM类型为RAM，数据RAM大小为1kB，数据转换器为A/D 8x10b，数据总线宽度为8位，核心大小为8位；核心处理器为S08，核心为S08；连接为I2C、LIN、SCI、SPI，ADC分辨率为10位。
S9S08SG16E1CTG是IC MCU 8BIT 16KB FLASH 16TSSOP，包括10位ADC分辨率，它们设计为与I2C、LIN、SCI、SPI连接一起工作。数据表中显示了用于HCS08的核心，该HCS08提供了S08等核心处理器功能，核心尺寸设计为8位工作，以及8位数据总线宽度，该设备还可以用作a/D 8x10b数据转换器。此外，数据RAM大小为1 kB，该设备采用SRAM数据RAM类型，该设备具有接口类型的I2C SCI SPI，最大时钟频率为40 MHz，最大工作温度范围为+85 C，最小工作温度范围-40 C，安装类型为SMD/SMT，ADC通道数为16，I/O数为12，I/O数量为22个I/O，定时器计数器数量为2个定时器，工作电源电压为2.7 V至5.5 V，工作温度范围为-40°C至85°C（TA），振荡器类型为内部，封装外壳为16-TSSOP（0.173英寸，4.40mm宽），封装为管交替封装，外围设备为LVD、POR、PWM、WDT，处理器系列为S08SG，程序内存大小为16KB（16K x 8），程序存储器类型为FLASH，RAM大小为1K x 8，系列为S08，速度为40MHz，供应商设备包为16-TSSOP，电源电压最大值为5.8V，电源电压最小值为-0.3V，单位重量为0.002194盎司，电源Vcc Vdd为2.7V~5.5V。
