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ST7FLIT9BF1M6是集成电路MCU 8BIT 4KB FLASH 20SOIC，包括ST7系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于0.009408盎司，具有SMD/SMT、，封装外壳设计用于20-SOIC（0.295“，7.50mm宽），其工作温度范围为-40°C~85°C（TA），该器件也可用于17个I/O。此外，速度为8MHz，设备提供128 x 8 EEPROM大小，设备具有ST7核心处理器，RAM大小为256 x 8，程序存储器类型为FLASH，外围设备为LVD、POR、PWM、WDT，连接为SPI，电源Vcc Vdd为2.7 V~5.5 V，核心大小为8位，程序存储器大小为4KB（4K x 8），数据转换器为A/D 7x10b，振荡器类型为内部，最大工作温度范围为+85 C，最小工作温度范围-40 C，工作电源电压为2.7 V至5.5 V，接口类型为SPI，核心为ST7，处理器系列为ST7FLIT1x，数据总线宽度为8位，电源电压最大值为5.5 V，电源电压Min为2.7V，最大时钟频率为8MHz，ADC通道数为7，I/O数为17 I/O，数据RAM大小为256B，数据ROM大小为128B，定时器计数器数为4 Timer，ADC分辨率为10位，数据ROM类型为EEPROM。
ST7FLIT9BF1B6是一款集成电路MCU 8BIT 4KB FLASH 20DIP，包括2.7 V~5.5 V电源Vcc Vdd，其设计可在0.079719盎司单位重量下工作，数据表中显示了2.7 V的最小电源电压，提供5.5 V等最大电源电压功能，速度设计为8MHz，以及ST7系列，该设备也可用于256 x 8 RAM大小。此外，程序存储器类型为FLASH，设备提供4KB（4K x 8）程序存储器大小，设备具有ST7FLIT1x处理器系列，外围设备为LVD、POR、PWM、WDT，封装为Tube，封装外壳为20-DIP（0.300“，7.62mm），振荡器类型为内部，工作温度范围为-40°C~85°C（TA），工作电源电压为2.7 V至5.5 V，定时器计数器的数量为4个定时器，I/O的数量为17个I/O，I/O数量为17，ADC通道的数量为7，安装方式为通孔，其最小工作温度范围为-40 C，最大工作温度范围+85 C，最大时钟频率为8 MHz，接口类型为SPI，EEPROM大小为128 x 8，数据RAM大小为256 B，数据转换器为A/D 7x10b，数据总线宽度为8位，核心大小为8位；核心处理器为ST7，核心为ST7；连接为SPI，ADC分辨率为10位。
ST7FLIT9BF1M3是集成电路MCU 8BIT 4KB FLASH 20SOIC，包括10位ADC分辨率，设计用于SPI连接，数据表说明中显示了用于ST7的核心，提供ST7等核心处理器功能，核心尺寸设计用于8位以及8位数据总线宽度，该设备还可以用作a/D 7x10b数据转换器。此外，数据RAM大小为256 B，设备提供128 x 8 EEPROM大小，设备具有接口类型的SPI，最大时钟频率为8 MHz，最大工作温度范围为+125 C，最小工作温度范围-40 C，安装类型为SMD/SMT，ADC通道数量为7，I/O数量为17，I/O数量为17个I/O，定时器计数器数量为4个定时器，其工作温度范围为-40°C~125°C（TA），振荡器类型为内部，封装外壳为20-SOIC（0.295英寸，7.50mm宽），封装为管形，外围设备为LVD、POR、PWM、WDT，处理器系列为ST7FLIT1x，程序内存大小为4KB（4K x 8），程序存储器类型为FLASH，RAM大小为256 x 8，系列为ST7，速度为8MHz，电源电压最大值为5.5 V，电源电压最小值为2.7 V，单位重量为0.009408 oz，电源Vcc Vdd为2.7 V~5.5 V。
