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UPD70F3913GF（R）-GAS-AX，带引脚细节，包括V850E/Ix4系列，它们设计用于托盘包装，数据表说明中显示了用于100-LQFP的包装箱，其工作温度范围为-40°C~85°C（TA），I/O数量设计为55，以及100MHz速度，该设备也可以用作V850E1核心处理器。此外，RAM大小为24K x 8，该设备采用FLASH程序存储器类型，该设备具有DMA、LVD、POR、PWM、WDT外围设备，连接为CSI、I2C、UART/USART，电源Vcc Vdd为1.35 V ~ 1.65 V，核心大小为32位，程序存储器大小为256KB（256K x 8），数据转换器为a/D 12x10b、7x12b，振荡器类型为内部。
UPD70F3914GC（R）-UEU-AX，带有用户指南，包括1.35 V ~ 1.65 V电源Vcc Vdd，它们设计为以100MHz速度运行，数据表说明中显示了用于V850E/Ix4的系列，该系列提供了24K x 8等RAM大小功能，程序内存类型设计为在FLASH中工作，以及384KB（384K x 8）程序内存大小，该设备还可以用作DMA、LVD、POR、，PWM、WDT外围设备。此外，包装为托盘，设备采用100-LQFP封装盒，设备内部为振荡器型，工作温度范围为-40°C~85°C（TA），I/O数量为55，数据转换器为a/D 12x10b、7x12b，核心尺寸为32位，核心处理器为V850E1，连接为CSI、I2C、UART/USART。
UPD70F3914GF（R）-GAS-AX，带有电路图，包括CSI、I2C、UART/USART连接，它们设计为与V850E1核心处理器一起工作，核心尺寸如数据表注释所示，用于32位，提供a/D 12x10b、7x12b等数据转换器功能，I/O数量设计为55，其工作温度范围为-40°C~85°C（TA），该器件也可以用作内部振荡器类型。此外，包装箱为100-LQFP，设备采用托盘包装，设备具有DMA、LVD、POR、PWM、WDT外围设备，程序存储器大小为384KB（384K x 8），程序存储器类型为FLASH，RAM大小为24K x 8，系列为V850E/Ix4，速度为100MHz，电源Vcc Vdd为1.35 V ~ 1.65 V。
