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W79E8213RARG，带有引脚细节，包括W79系列，它们设计用于管包装，数据表注释中显示了用于20-SSOP（0.209“，5.30mm宽）的包装箱，其工作温度范围为-40°C~85°C（TA），I/O的数量设计为工作在18，以及20MHz的速度，该设备也可以用作128 x 8 EEPROM大小。此外，核心处理器为8051，该设备提供128 x 8 RAM大小，该设备具有程序存储器类型的FLASH，外围设备为褐光检测/重置、LED、LVD、POR、PWM、WDT，电源Vcc Vdd为2.4 V~5.5 V，核心大小为8位，程序存储器大小为4KB（4K x 8），数据转换器为a/D 8x10b，振荡器类型为内部。
W79E8213RASG是IC MCU 8BIT 4KB FLASH 20SOP，包括2.4 V~5.5 V电源Vcc Vdd，它们设计为以20MHz的速度运行，系列如数据表说明所示，用于W79，提供RAM大小功能，如128 x 8，程序存储器类型设计为在FLASH中工作，以及4KB（4K x 8）程序存储器大小，该设备还可以用作欠压检测/复位、LED、LVD、POR、PWM、WDT外围设备。此外，封装为管状，该器件采用20-SOIC（0.295“，7.50mm宽）封装盒，该器件具有振荡器型内部，工作温度范围为-40°C~85°C（TA），I/O数量为18，EEPROM大小为128 x 8，数据转换器为a/D 8x10b，核心大小为8位，核心处理器为8051。
W79E8213RAKG是IC MCU 8BIT 4KB FLASH 20DIP，包括8051核心处理器，它们设计为以8位核心尺寸运行。数据表说明中显示了用于a/D 8x10b的数据转换器，其提供EEPROM大小功能，如128 x 8，I/O数量设计为18个，其工作温度范围为-40°C~85°C（TA），该器件也可以用作内部振荡器类型。此外，封装盒为20-DIP模块，设备采用管式封装，设备具有欠压检测/复位、LED、LVD、POR、PWM、外围设备WDT，程序存储器大小为4KB（4K x 8），程序存储器类型为FLASH，RAM大小为128 x 8，系列为W79，速度为20MHz，电源Vcc Vdd为2.4 V ~ 5.5 V。
