Microchip的SAM G53具有ARM®Cortex®-M4内核和FPU(浮点单元),以最大化数据吞吐量。这允许您将活动模式功耗降至最低,并使核心更快地进入睡眠模式,从而降低总体功耗。
该设备有16个DMA信道,这有助于实现极高的吞吐量。
超低功耗、快速唤醒时间和高吞吐量的组合使SAM G53在空间和功耗受限的消费者应用(如传感器集线器)中具有优势。它快速唤醒,具有减少活动模式下花费的时间所需的吞吐量,然后返回休眠状态,保留SRAM以节省能量。
这提供了最佳性能和最长的电池寿命。它功能齐全,一直到1.7V,包括闪存读取和写入,以及完整的ADC操作。这允许一种更灵活的电源方案,将电池的额外运行时间挤出。
由MPLAB X IDE和MPLAB Harmony支持。
特色
ARM Cortex-M4在I/O总线上具有高达96 KB的SRAM,在高达48 MHz的频率下提供0等待状态执行
内存保护单元(MPU)
DSP指令、浮点单元(FPU)、Thumb®-2指令集
高达512 KB的嵌入式闪存
高达96 KB的嵌入式SRAM
SAM G53设备附带工厂编程的Flash引导加载程序。
用于单电源操作的嵌入式电压调节器
上电复位(POR)和安全运行的看门狗
石英或陶瓷谐振器振荡器:3至20 MHz,具有时钟故障检测,32.768 kHz用于RTT或系统时钟
高精度8/16/24 MHz工厂微调内部RC振荡器。用于频率调整的应用内微调访问
慢时钟内部RC振荡器作为永久低功耗模式设备时钟
设备时钟的PLL范围从48 MHz到120 MHz
USB设备和USB OHCI的PLL范围为24 MHz至48 MHz
多达30个外围DMA(PDC)通道
256位通用备份寄存器(GPBR)
16条外部中断线
49引线WLCSP,100引脚LQFP,14 x 14 mm,间距0.5 mm
- 工业(-40°C至+85°C)
一个带SPI模式的USART
2个IC间声音控制器(I2S)
两个UART
三个双线接口(TWI)模块,具有两个TWI主机和一个高速TWI从机
一个高达24Mbit/s的快速SPI
两个具有捕获、波形、比较和PWM模式的三通道16位定时器/计数器(TC)
一个32位实时定时器(RTT)
多达38条可控I/O线,具有外部中断能力(边缘或电平灵敏度)、去抖动、毛刺滤波和管芯串联电阻器端接。可单独编程的漏极开路、上拉和下拉电阻器以及同步输出
双向单通道脉冲密度调制(PDM)(在PDM模式下最多可连接两个麦克风)
- 一个8通道ADC,分辨率高达12位,采样率高达800 kSps
串行线/JTAG调试端口(SWJ-DP)
调试对系统中所有存储器和寄存器的访问,包括内核运行、停止或保持复位时的Cortex-M4寄存器组。
串行线调试端口(SW-DP)和串行线JTAG调试端口(SW J-DP)调试访问。
Flash修补程序和断点(FPB)单元,用于实现断点和代码修补程序。
数据监视点和跟踪(DWT)单元,用于实现监视点、数据跟踪和系统分析。
用于支持printf样式调试的Instrumentation Trace Macrocell(ITM)。
所有数字引脚上的IEEE1149.1 JTAG边界扫描。
ASF Atmel软件框架–SAM软件开发框架
集成在具有图形用户界面的Atmel Studio IDE中,或作为独立的GCC、IAR编译器提供。
DMA支持,中断处理程序驱动程序支持
USB、TCP/IP、Wi-Fi和蓝牙、众多USB类、DHCP和Wi-Fi加密堆栈
RTOS集成,FreeRTOS是核心组件
微控制器功能
果心