ADS58C28EVM是一种双通道、11位模数转换器（ADC），采样率高达200MSPS。该设备采用创新设计技术实现高动态性能，同时在1.8V电源下消耗极低的功率。这种架构非常适合多载波、宽带通信应用。
ADS58C28EVM使用第三代SNRBoost3克克服量化噪声导致的SNR限制的技术（对于小于奈奎斯特的带宽，fS/2). SNRBoost中的增强功能3克该技术允许在宽带宽（高达60MHz）上支持SNR改进。此外，单独的SNRBoost3克也可以为每个信道编程系数。
该设备具有数字增益功能，可用于在较低满量程输入范围内提高SFDR性能。它包括一个直流偏移校正回路，可用于消除ADC偏移。所有通道的数字输出作为双数据速率（DDR）低压差分信号（LVDS）与LVDS时钟输出一起输出。该接口的低数据速率（200MSPS采样率下为400MBPS）使得使用基于低成本现场可编程门阵列（FPGA）的接收机成为可能。LVDS输出缓冲器的强度可以增加，以支持50Ω差分终端。这种增加允许输出时钟信号连接到具有有效50Ω终端的两个独立接收器芯片（例如GC5330的两个时钟端口）。同样的数字输出引脚也可以配置为并行1.8V CMOS接口。
该器件包括内部参考，而传统的参考引脚和相关的去耦电容器已经被消除。ADS58C28EVM在工业温度范围（-40°C至+85°C）内指定。
特色
- 最大采样率：200MSPS
- 高动态性能：
- 140MHz时的83dBc SFDR
- 使用SNRBoost的60MHz BW的72.5dBFS SNR3克技术
- SNR推送3克亮点：
- 支持宽带（最高60MHz）
- 可编程带宽：
20MHz、30MHz和40MHz - 频带内的平坦噪声基底
- 独立SNRBoost3克两个通道的系数
- 输出接口：
- 具有可编程摆动和强度的双倍数据速率（DDR）LVDS：
- 标准摆动：350mV
- 低摆幅：200mV
- 默认强度：100Ω终端
- 2×强度：50Ω终端
- 与GC6016兼容
- 还支持1.8V并行CMOS接口
- 具有可编程摆动和强度的双倍数据速率（DDR）LVDS：
- 单1.8V电源的超低功率：
- 470mW总功率
- 710mW总功率（200MSPS），带SNRBoost3克在两个频道上
- 可编程增益高达6dB
SNR/SFDR权衡 - 直流偏移校正
- 支持低输入时钟幅度
- 包装：QFN-64（9mm×9mm）
