9icnet为您提供由德州仪器公司设计和生产的CSD163CEVM-591，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。CSD163CEVM-591参考价格为58.80000美元。德州仪器CSD163CEVM-591包装/规格：MOSFET抽真空模块/TPS0304。您可以下载CSD163CEVM-591英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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CSD16340Q3是MOSFET N-CH 25V 60A 8SON，包括NexFET？系列，它们设计为使用Digi-ReelR替代包装包装，安装方式如数据表注释所示，用于SMD/SMT，提供NexFET等商标功能，包装箱设计为使用8-PowerTDFN以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，器件提供1通道数量的通道，器件具有8-VSON（3.3x3.3）的供应商器件封装，配置为单一，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为3W，晶体管类型为1 N通道，漏极到源极电压Vdss为25V，输入电容Ciss Vds为1350pF@12.5V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为21A（Ta），60A（Tc），Rds On最大Id Vgs为4.5mOhm@20A，8V，Vgs th最大Id为1.1V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为9.2nC@4.5V，Pd功耗为3W，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为5.2 ns，上升时间为16.1 ns，Vgs栅极-源极电压为10 V，Id连续漏极电流为21 A，Vds漏极-源极击穿电压为25 V，Vgs第栅-源极阈值电压为850 mV，Rds漏极源极电阻为4.3 mΩ，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为13.8ns，典型接通延迟时间为4.8ns，Qg栅极电荷为6.5nC，正向跨导Min为121S。
CSD16342Q5A是MOSFET N沟道NexFET功率MOSFET，包括10 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在25 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，晶体管类型如数据表注释所示，用于1 N沟道，提供晶体管极性特性，如N沟道、商标名设计用于NexFET以及Si技术，该设备也可以用作CSD16342Q5A系列。此外，Rds漏极-源极电阻为5.5 mOhm，器件提供6.5 nC Qg栅极电荷，器件具有3 W的Pd功耗，封装为卷轴式，封装外壳为VSON-FET-8，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，它的最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为21 A，配置为单一。
CSD16340Q3T是TI制造的“MOSFET 25V”。CSD16340Q4T采用SON-8封装，是晶体管-FET、MOSFET-单体的一部分，支持“MOSFET 25 V、N沟道25V 60A（Tc）3W（Ta）表面安装8-VSON（3.3x3.3）、Trans MOSFET N-CH 25V 21A 8引脚VSON-CLIP EP T/R、MOSFET 25伏、-55至150”。
