LM514575-V同步降压控制器设计用于从高输入电压源或受高电压瞬变影响的输入轨进行调节，从而最大限度地减少对外部浪涌抑制部件的需求。高侧开关最小接通时间为40 ns，有助于实现大的降压比，从而实现从48 V标称输入到低压轨的直接降压转换，从而降低系统复杂性和解决方案成本。LM5145EVM-HD-20A在低至6V的输入电压下降期间继续工作，如果需要，占空比接近100%，因此非常适合高性能工业控制、机器人、数据通信和RF功率放大器应用。
强制PWM（FPWM）操作消除了频率变化，以最大限度地减少EMI，同时更可选择的二极管仿真功能降低了轻负载条件下的电流消耗。通过测量低压MOSFET两端的电压降或使用可选的电流感测电阻器来实现逐周期过电流保护。高达1MHz的可调开关频率可与外部时钟源同步，以消除噪声敏感应用中的拍频。
LM5145电压模式控制器使用适用于标准阈值MOSFET的坚固的7.5V栅极驱动器驱动外部高侧和低侧N沟道功率开关。具有2.3A源极和3.5A漏极能力的自适应定时栅极驱动器在开关转换期间最大限度地减少了体二极管的传导，从而在高输入电压和高频率下驱动MOSFET时减少了开关损耗并提高了热性能。LM5145EVM-HD-20A可由开关调节器或其他可用电源的输出供电，进一步提高效率。
相对于SYNCOUT内部振荡器的180°异相时钟输出是级联或多通道电源的理想选择，以减少输入电容器纹波电流和EMI滤波器尺寸。LM5145EVM-HD-20A的其他功能包括可配置的软启动、用于故障报告和输出监控的开漏功率良好监控器、预偏置负载的单调启动、集成VCC偏置电源调节器和自举二极管、外部电源跟踪、用于可调线路欠压锁定（UVLO）的具有滞后的精确启用输入、，打嗝模式过载保护和自动恢复的热关机保护。
LM5145控制器采用3.5mm×4.5-mm热增强型20引脚VQFN封装，具有额外的高压引脚间距和可润湿侧翼，用于焊点圆角的光学检查。
特色
- 通用同步降压DC-DC控制器
- 6 V至75 V的宽输入电压范围
- 可调输出电压从0.8 V到60 V
- 符合EN55022/CISPR 22 EMI标准
- 无损RDS（开启）或分流电流传感
- 开关频率从100 kHz到1 MHz
- SYNC输入和SYNC输出功能
- 对于高VIN/VOUT比率，最小开启时间为40 ns
- 140 ns低压降最小关闭时间
- 0.8-V参考，反馈精度±1%
- 标准VTH MOSFET的7.5V栅极驱动器
- 14 ns自适应死区控制
- 2.3-A源和3.5-A汇能力
- 预偏置启动的低端软启动
- 可调软启动或可选电压跟踪
- 快速线路和负载瞬态响应
- 带线路前馈的电压模式控制
- 高增益带宽误差放大器
- 用于排序和控制的精密启用输入和开漏功率良好指示器
- 稳健设计的固有保护特性
- 打嗝模式过电流保护
- 带滞后的输入UVLO
- VCC和栅极驱动UVLO保护
- 具有滞后的热停堆保护
- VQFN-20封装，带可湿侧边
- 使用LM5145和WEBENCH Power Designer创建自定义设计
