特色
灵活的逻辑架构
•五个具有384至7680 LUT4和10至206 I/O的设备
超低功耗设备
•先进的40纳米低功耗工艺
•低至21µA待机电源
•可编程低摆幅差分I/O
嵌入式和分布式内存
•最高128 kbits sysMEM™ 嵌入式块RAM
预设计源同步I/O
•I/O单元中的DDR寄存器
大电流LED驱动器
•三个高电流驱动器，用于三个不同的LED或一个RGB LED
高性能、灵活的I/O缓冲区
•可编程系统IO™ 缓冲区支持多种接口：
-LVCMOS 3.3/2.5/1.8
-LVDS25E，子LVDS
-施密特触发器输入，典型滞后为200mV
•可编程上拉模式
灵活的片上时钟
•八个低偏斜全局时钟资源
•每个设备最多两个模拟PLL
灵活的设备配置
•SRAM通过以下方式配置：
-标准SPI接口
-内部非易失性配置存储器（NVCM）
多种套餐选项
•WLCSP、QFN、VQFP、TQFP、ucBGA、caBGA和csBGA封装选项
•占地面积小的包装选项
-小至1.40 mm x 1.48 mm
•先进的无卤包装
