ICE40UP5K-B-EVN

 灵活的逻辑架构

 两个具有2800至5280 LUT的设备

 以WLCS和QFN包提供

 超低功耗设备

 先进的40纳米低功率工艺

 典型待机电流低至100µA

 嵌入式内存

 高达1024 kb单端口SRAM

 最大120 kb sysMEM™ 嵌入式块RAM

 两个加固的I2C接口

 支持I3C接口的两个I/O引脚

 两个硬化SPI接口

 两个片上振荡器

 低频振荡器–10 kHz

 高频振荡器–48 MHz

 24 mA电流驱动RGB LED输出

 每个设备有三个驱动输出

 用户可选择的吸收电流高达24 mA

 片上DSP

 有符号和无符号8位或16位函数

 功能包括乘法器、累加器和乘法累加器（MAC）

 灵活的片上时钟

 八个低偏斜全局信号源，六个可直接从外部引脚驱动

 每个设备一个带动态接口的PLL

 灵活的设备配置

 SRAM通过以下方式配置：

 标准SPI接口

 内部非易失性配置存储器（NVCM）

 超小尺寸

 小到2.15 mm×2.55 mm

 应用

 始终在线语音识别应用程序

 智能手机

 平板电脑和消费者手持设备

 手持式商业和工业设备

 多传感器管理应用

 传感器预处理和传感器融合

 常开传感器应用

 USB 3.1 C型电缆检测/供电应用